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Two-Dimensional Cross-Sectional Doping Profiling Study of Advanced CMOS Devices Using Electron Holog
[会议论文] 作者：Shu Oin,Zhouguang Wang,Y.Jeff Hu,Allen Mc Teer,
来源：The 11th International Workshop on Plasma-Based Ion Implanta 年份：2011
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Two-Dimensional Cross-Sectional Doping Profiling Study of Advanced CMOS Devices Using Electron Holog
[会议论文] 作者：Shu Oin,Zhouguang Wang,Y.Jeff Hu,Allen Mc Teer,
来源：The 11th International Workshop on Plasma-Based Ion Implanta 年份：2011
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[期刊论文] 作者：唐有根,卢周广,王勇,Tang Yougen,Lu Zhouguang,Wang Yong,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2004
研制了5个LaNi5型贮氢合金试样,分别对5种合金试样电极的电化学放电容量、高倍率充放电和宽温度范围内充放电性能、循环稳定性及其相结构进行了测试和分析.结果表明:Sn及Si的...
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