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[会议论文] 作者：Yang Yinglin,杨颖琳,Hu Cheng,胡成,Zhu Lun,朱伦,Xu Peng,许鹏,Zhu Zhiwei,朱志炜,Zhang Wei,张卫,Wu Dongping,吴东平,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFETs进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFETs的栅极由两种不同功函数的材料......
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