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[期刊论文] 作者：朱龙德,g.a.b.feak,j.m.ballantyne,,
来源：半导体学报 年份：1989
本文描述一种由MOCVD生长的GaAs/GaAlAs 分别限制单量子阱片子制作的锁相列阵大功率激光器.由十个单横模器件耦合而成的列阵器件,其阈值电流为67mA,线性输出功率大于500mW,微...
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