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[期刊论文] 作者：徐惠君,曾一平,赵洪进,夏森定,徐金良,
来源：棉纺织技术 年份：2001
0 前言 分梳辊是转杯纺、摩擦纺、涡流纺、静电纺等新型纺纱设备中的关键件，它是将喂入半制品 (纤维 条)进行开松、梳理、排杂，使连续的纤维条尽量分离成平行伸直的单纤维......
[期刊论文] 作者：吴巨,金鹏,吕小晶,王占国,曾一平,王宝强,
来源：微纳电子技术 年份：2004
综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究.介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形...
[期刊论文] 作者：邹继军,常本康,杨智,高频,乔建良,曾一平,
来源：物理学报 年份：2004
利用多信息量测试系统分别测试了反射式GaAs光电阴极激活后在0(无光照),33和100 lx白光照射情况下阴极的光电流衰减变化曲线,计算得到其寿命分别为320,160和75 min,阴极稳定...
[期刊论文] 作者：崔军朋，段垚，王晓峰，曾一平，CuiJunpeng，DuanYao，WangXiaofeng，ZengYiping,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：张家奇,杨秋旻,赵杰,崔利杰,刘超,曾一平,,
来源：微电子学 年份：2012
利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe...
[会议论文] 作者：Li chengji,Li yiyang,Zeng yipeng,李成基,李弋洋,曾一平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本工作是采用光感生电流瞬态谱技术,对半绝缘砷化镓衬底上分子束外延生长的高阻碲化镉薄膜中的深能级进行了测量与分析。发现至少有5个能级,能级位置分别为0.14,0.22,0.3...
[会议论文] 作者：刘超;尹春海;陶东言;李建明;徐嘉东;曾一平;,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
Ⅲ族氮化物基稀磁半导体是近年来在自旋电子学研究领域中受到广泛关注的研究热点和最有希望获得室温以上铁磁性的稀磁半导体材料之一。本文介绍了近两年来采用双能态离子...
[会议论文] 作者：高海永,闫发旺,张扬,王军喜,曾一平,李晋闽,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
利用干法刻蚀(感应耦合等离子刻蚀,ICP)对蓝宝石衬底进行了干法刻蚀,研究了特定图形蓝宝石衬底对生长GaN外延层晶体质量的影响。原子力显微镜观察表明无掩膜直接ICP刻蚀后的...
[会议论文] 作者：徐惠君,曾一平,赵洪进,夏森定,徐金良,
来源：第十次全国新型纺纱学术会 年份：2000
该文公开了一种新型纺纱机械装备上的主要专件－－齿片式分梳辊。它与现有各种转杯纺纱机的分梳辊的主要区别在于突破了传统分梳辊采用齿条包卷辊体的老工艺，而是采和许多齿片、梳......
[期刊论文] 作者：杨沁清,高俊华,曾一平,孔梅影,孙殿照,
来源：半导体学报 年份：1990
本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这...
[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,李歧旺,卫微,王红梅,孔梅影,
来源：传感器技术 年份：1998
利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了的薄膜Ｈａｌ器件。这种Ｈａｌ器件具有灵敏度高、温度特性好等优点。室温下的积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ·ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ·ｋＧｓ（灵敏度比相同掺杂的......
[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,李歧旺,王红梅,潘量,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1999
利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中，具有广阔的应......
The performance enhancement in organic light-emitting diode using a semicrystalline composite for ho
[期刊论文] 作者：曹峻松,关敏,曹国华,曾一平,李晋闽,秦大山,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
A semicrystalline composite,3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA) doped N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine (NPB),has been fabricated an...
Organic light emitting diodes using magnesium doped organic acceptor as electron injection layer and
[期刊论文] 作者：曹国华,秦大山,关敏,曹峻松,曾一平,李晋闽,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
Organic light emitting diodes employing magnesium doped electron acceptor 3, 4, 9, 10 perylenetetracarboxylic dianhydride (Mg : PTCDA) as electron injection lay...
[期刊论文] 作者：潘栋,曾一平,吴巨,王红梅,李晋闽,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1997
在本文，我们用一个低组分的InxGa(1-x)As缓冲层（x～0．01），有效地限制了50周期的In0.3Ga0．7As／GaAs应变超晶格本身弛豫所产生的位错，X射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超晶格质......
[会议论文] 作者：庄乾东,李晋闽,曾一平,张方方,王玉田,吴巨,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
利用光荧光(PL)和双晶X射线(DCXRD)技术，研究了快速退火对MBE生长的量子点超晶格的弛豫机制和光学性质的影响。随着退火温度的提高，PL光谱的半高宽减小了28meV，而且峰位兰移86me...
[会议论文] 作者：Li chengji,李成基,Li yiyang,李弋洋,Zeng yipeng,曾一平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本工作是采用光感生电流瞬态谱技术,对半绝缘砷化镓衬底上分子束外延生长的高阻碲化镉薄膜中的深能级进行了测量与分析。发现至少有5个能级,能级位置分别为0.14,0.22,0.31,0.36和0.54ev。它们可能与残余杂质,Cd空位,Cd间隙及其它结构缺陷有关。......
[期刊论文] 作者：曾伟南,余秋萍,刘俊利,曾一平,周宗科,
来源：中国继续医学教育 年份：2022
目的 针对骨科临床教学中结合3D可视化技术的多元化教学的实用价值和效果加以探讨.方法 选择2019年1—9月期间在我院骨科实习的86名临床医学学生作为研究对象,通过随机数字表法随机分为两组,其中43名学生作为对照组(采用传统教学模式),另外43名学生作为研究组(......
[期刊论文] 作者：仇志军, 桂永胜, 崔利杰, 曾一平, 黄志明, 疏小舟,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象.通过分析拍频节点位置,得到电子对...
[期刊论文] 作者：马平,魏同波,段瑞飞,王军喜,李晋闽,曾一平,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN.模板上的GaN生长表面平整、光亮,但开裂严重.其(0002)的双晶衍射半高宽最...
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