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[期刊论文] 作者：R·M·Jecmen,何玉表,,
来源：微处理机 年份：1980
过去十年内,MOS器件力排阻力,向前推进到更高的性能和密度。本文介绍MOS从速度比较慢密度相对低的工艺而发展到在随机存取存贮器中占领先地位的HMOSⅡ工艺。由于诞生了以HMO...
[期刊论文] 作者：G·佛斯,何玉表,,
来源：微处理机 年份：1979
仪器设计人员有 IEEE—488标准接口可用,初始设备制造厂家可用 SBC—80作单板计算机总线标准;业余爱好者可用 S—100作总线接口标准。而微处理机芯片间用的接口标准又是什么...
[期刊论文] 作者：方素娟,何玉表,
来源：半导体技术 年份：1997
综述了低电压低功耗ＣＭＯＳＡＳＩＣ技术，包括低压ＡＳＩＣ器件的主要类型及特点；先进的产品系列及其主要的工艺、性能参数与专用特性；芯片功耗的估算方法；高门密度ＡＳＩＣ芯片低电压低功耗自动化设计与测试技术......
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