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[期刊论文] 作者：贾国治,姚江宏,何进密,于沛,
来源：发光学报 年份：2010
为了理解在三势垒结构中准束缚能级Ez和隧穿寿命对磁场的依赖性,采用传输矩阵的方法研究了在三势垒结构中的共振隧穿过程。分别研究了在三势垒结构中的透射几率特征和隧穿寿...
[期刊论文] 作者：姚江宏,彭军,王志勇,陈光华,
来源：光电子技术 年份：1996
报道了用微波等离子体化学气相淀积技术在ＴａＮ２电阻材料上淀积高质量金刚石薄膜的制备工艺，以及扫描电镜、Ｘ射线衍射、拉曼光谱、压痕测试的测试结果。探讨了提高金刚石膜在非金刚石......
[期刊论文] 作者：姚江宏,邹云娟,张兴旺,陈光华,
来源：物理学报 年份：1997
利用双温区真空蒸发沉积技术成功地在ＧａＡｓ（１００）衬底上实现了完全（１１１）取向的Ｃ６０单晶膜的生长．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射技术对Ｃ６０单晶膜的形貌和结构进行了分析．结果表明：能实现Ｃ６０取向生长的衬底温度......
[期刊论文] 作者：王志勇,姚江宏,韩立,陈光华,
来源：兰州大学学报 年份：1996
首次报道了用微波等离子体化学气相沉积（ＭＷＣＶＤ）技术在ＴａＮ２电阻材料上沉积高质量金刚石薄膜的制备工艺，以及扫描电镜、Ｘ射线衍射、拉曼光谱、压痕测试的测试结果，从实验上表明了ＣＶＤ金刚石薄膜用......
[期刊论文] 作者：姚江宏,彭军,王永谦,陈光华,
来源：兰州大学学报 年份：1996
硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究①姚江宏彭军王永谦陈光华②（兰州大学物理系，兰州７３００００）Ｃ６０的发现［１］及采用简单方法大量制备的成功［２］，在物理、化学及材料科学等领域引起了人们极......
[期刊论文] 作者：彭军,彭应全,姚江宏,陈光华,
来源：甘肃科学学报 年份：1996
ＣＮｘ薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法（ＰＣＶＤ），制备出了含氮量为２１ａｔ％的ＣＮｘ膜，并用俄歇电子探针，红外谱仪和拉曼光谱仪及Ｘ光衍射仪对其结构进行了研究。结果表明膜中氮元素主......
[期刊论文] 作者：贾国治,姚江宏,何进密,于沛,,
来源：发光学报 年份：2010
为了理解在三势垒结构中准束缚能级Ez和隧穿寿命对磁场的依赖性,采用传输矩阵的方法研究了在三势垒结构中的共振隧穿过程。分别研究了在三势垒结构中的透射几率特征和隧穿寿...
[会议论文] 作者：姚江宏,宋峰,李玉栋,张心正,
来源：中国物理学会 年份：2009
大学物理是高等学校中理工科各专业的一门十分重要的必修基础澡.物理学在自然科学中具有重要的的基础地位,与社会科学又紧密联系,同时,物理学对人的思维训练和能力的形成有很大的影响,因此大学物理学在人才培养中起着十分重要和独特的作用,对于培养能够参与国际......
[期刊论文] 作者：贾国治, 姚江宏, 舒永春, 王占国,,
来源：发光学报 年份：2007
采用分子束外延技术,分别在480,520℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7ML的InAs/GaAs量子点。用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布。结果表明,在相应的生长温度下,量...
[期刊论文] 作者：张春玲,唐蕾,张会平,姚江宏,
来源：功能材料 年份：2016
利用双槽电化学腐蚀方法制备多孔硅,并用电化学掺杂方法对多孔硅进行稀土元素Er^3＋/Yb^3＋ 掺杂.利用扫描电镜和X 射线衍射光谱分析所制备样品的结构和成分;通过对比掺杂前后以...
[期刊论文] 作者：邓浩亮,贾国治,姚江宏,徐章程,
来源：发光学报 年份：2005
非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义.随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载...
[期刊论文] 作者：邓浩亮,姚江宏,贾国治,徐章程,
来源：发光学报 年份：2007
自组织量子点光致荧光的温度依赖性研究对实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义，而量子点中载流子的动力学过程会对量子点光致荧光产生直接影响。采用稳态速率方程模型......
[期刊论文] 作者：张鹏,赵路松,姚江宏,曹亚安,
来源：物理化学学报 年份：2013
采用溶胶-凝胶法制备出纯TiO2和不同浓度Sn4＋离子掺杂的TiO2光催化剂（TiOz—Snx％，x％代表Sn4＋离子掺杂的TiO2样品中Sn4＋离子摩尔分数）．利用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）和表面光电......
[期刊论文] 作者：金运范,杨茹,刘昌龙,姚江宏,
来源：高能物理与核物理 年份：2000
用 Ｒａｍａｎ（拉曼）散射技术分析了 １２０ｋｅＶ的 Ｈ， Ａｒ和 Ｆｅ离子在 Ｃ６０薄膜中引起的辐照效应，主要指由晶态向非晶态的转变．分析结果表明，在Ｆｅ和Ａｒ离子辐照的Ｃ６０薄膜中，核碰撞主导了由晶态向非晶态的转变过程．而在Ｈ离子辐......
[期刊论文] 作者：陈光华,姚江宏,王永谦,邹云娟,
来源：物理学报 年份：1997
对硫掺杂Ｃ６０薄膜样品在４３３Ｋ进行真空退火，并测量了其电导率随温度的变化关系．发现硫掺杂后Ｃ６０薄膜的电导激活能减小，电导率显著增大．电导率随温度的变化曲线在３６８Ｋ到３８８Ｋ的范围内，存在一个电导率与温......
[期刊论文] 作者：姚江宏,许京军,张光寅,陈光华,
来源：半导体学报 年份：1999
采用直流电弧放电方法利用硼碳复合棒成功合成了硼掺杂富勒烯，质谱和Ｘ射线光电谱等分析手段证实我们制备的硼掺杂富勒烯主要是以Ｃ５９Ｂ和Ｃ６９Ｂ形式存在；对硼掺杂富勒烯薄膜样品在４９３Ｋ 进行了真......
[会议论文] 作者：姚江宏,宋峰,李川勇,栗瑜梅,
来源：2013年全国高等学校物理基础课程教育学术研讨会 年份：2013
新的时代特征和教育规模决定了物理教学的现代化,以多媒体、网络为基础的现代教学手段已成为教师进行课堂教学的重要手段,结合多年教学实践,深入分析了现代化教学手段的必要...
[会议论文] 作者：吴强,姚江宏,张春玲,许京军,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
飞秒激光器的发明极大地促进了物理、化学、生物等学科的发展。其超快、超强的特性，使得许多教科书上的公式已经不能描述飞秒激光脉冲与物质相互作用的过程。从而发展了众多的新理论，在此基础上发展了许多的新应用。我们在飞秒激光与晶体材料相互作用的主要工作有......
[会议论文] 作者：姚江宏,贾国治,舒永春,王占国,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.4ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.1ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs/GaAs量子点.在生长温度从480℃到535℃范围内,随温度升高,量子点密度不断减小,量子点的直径和高度却呈现增加趋势;而量子点的荧光峰......
[会议论文] 作者：贾国治,姚江宏,舒永春,王占国,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.3ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.5ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs量子点.在生长温度从480℃到535℃范围内,量子点密度从2×1010cm-2减少到4×109cm-2,而量子点的直径和高度却是增加的.量子点从双模分......
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