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[会议论文] 作者：裴海燕,熊细欢,孙甲明,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
稀土Er3+离子掺杂的硅基Al2O3氧化物具有良好的热稳定性并且在红外1530光纤通讯波段具有优异的光增益性质,因此在硅基光电子器件领域具有重要的应用价值.但是由于Er3+离子在Al2O3中掺杂固溶度较低(约1018/cm3限制了器件发光效率和强度的进一步提升).为了提高Er3......
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,范希武,
来源：发光学报 年份：2000
设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气...
[会议论文] 作者：孙甲明,侯琼琼,孟凡杰,
来源：第四届全国掺杂纳米材料发光性质学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,范希武,李长华,
来源：发光学报 年份：1998
用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅ＳｉＯ２薄膜并获得了蓝色的交流薄膜电致发光．通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅ＳｉＯ２薄膜的纳米硅晶粒有关．......
[期刊论文] 作者：张新霞,孙甲明,张俊杰,杨阳,刘海旭,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1．5-3nm的Si／SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性。以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点，获得了Si／S...
[期刊论文] 作者：刘海旭,孙甲明,孟凡杰,侯琼琼,
来源：发光学报 年份：2011
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3＋离子掺杂的电致发光器件...
[期刊论文] 作者：孙甲明, 张俊杰, 杨阳, 张新霞, 刘海旭,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
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[会议论文] 作者：孙甲明,侯琼琼,刘犇,邢晓东,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：孙甲明,张吉英,申德振,范希武,
来源：发光学报 年份：1993
自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰...
[会议论文] 作者：张燕峰,孙甲明,张满红,黄绮,周均铭,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：孙甲明,张燕峰,张满红,黄绮,周均铭,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：张满红,张燕峰,孙甲明,黄绮,周均铭,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,范希武,郑陈玮,
来源：发光学报 年份：1998
首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ∶ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光．电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ３＋离子的１Ｇ４→３Ｈ６、１Ｇ４→３Ｈ４、３Ｆ３→３Ｈ６和３Ｆ４→３Ｈ６的电子跃迁发光．通过对ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我......
[期刊论文] 作者：孙甲明,钟国柱,范希武,郑陈玮,
来源：发光学报 年份：1998
利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究．通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性．Ｘ射线衍射表......
[会议论文] 作者：王翰宇,林光杨,李娜,孙甲明,李成,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
光互联芯片由于其高带宽、低延迟、抗干扰能力强等优点,已成为当前硅基光电子领域的重要研究方向.目前硅基激光器的实现主要采用在硅上键合Ⅲ-Ⅴ族激光器的方法.利用FDTD（时域有限差分）方法对微环谐振腔设计进行仿真，对单环、并／串联双环、跑道环四种结构的参数进行......
[期刊论文] 作者：张俊杰,孙甲明,杨阳,张新霞,刘海旭,W.Skorupa,M,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜，在此基础上制备出ITO／SiON／Si-rich SiO2：Er／Si MOS结构电致发光器件，比较研究了硅...
[期刊论文] 作者：孙甲明,张俊杰,杨阳,张新霞,刘海旭,W.Skorupa,M,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文介绍了在稀土离子Re（Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd）注入的SiO2金属-氧化物-硅（MOS）结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜，相继获得了发射光谱......
[期刊论文] 作者：杨阳,孙甲明,张俊杰,张新霞,刘海旭,W. Skorupa,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管，系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高，硅pn结二极管的......
[会议论文] 作者：孙甲明,刘俊庆,李娜,靳春燕,熊细欢,
来源：第十四届全国发光学学术会议 年份：2016
随着大规模集成电路技术的不断发展，场效应管的特征尺寸将很快降到10 纳米以下，迫近经典电路理论所适用的尺度下限。大规模集成电路中电信号串扰和延迟已经严重制约着集成......
[会议论文] 作者：孙甲明,刘俊庆,李娜,靳春燕,熊细欢,
来源：第六届全国掺杂纳米材料发光性质学术会议 年份：2016
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