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[期刊论文] 作者:张彦辉,亢静锐,李龙梅,, 来源:山东陶瓷 年份:2016
以氟磷灰石为主晶相的微晶玻璃材料植入人体后可促进或引导人体骨组织的再生,而针状氟磷灰石更利于提升材料的生物相容性以及生物活性,因其骨修复市场巨大而越来越受到广泛地...
[期刊论文] 作者:张彦辉,亢静锐,李龙梅, 来源:山东陶瓷 年份:2016
微晶玻璃体系热处理温度高,析晶和烧结温度差异较大,制备周期较长,限制了临床应用,低温烧结的研究显得尤为重要。本文利用两种不同百分含量的基础玻璃体系Na2O—B2O3-Si2O4,分别加......
[期刊论文] 作者:付中涛,杨文玉,张彦辉,蔡潘,, 来源:中国科学:技术科学 年份:2016
针对复杂曲面恒定进给速度带来加工效率低下及表面质量差的情况,提出了基于切削力预测模型的铣削进给速度优化方法.首先,通过对刀位轨迹、曲面与刀具几何、刀/工切削接触区及...
[期刊论文] 作者:万媛媛,张彦辉,高文武,汤玉辉,, 来源:汽车零部件 年份:2016
介绍汽车混合动力系统离合器液压控制系统的功用和原理,通过对当前液压控制方案进行理论分析和测试来阐述方案中存在的缺陷,并提出液压控制的优化设计,总结混合动力离合器液...
[期刊论文] 作者:张彦辉,王杏娟,李龙梅,樊亚鹏, 来源:黑龙江冶金 年份:2016
阐述了电磁冶金的发展历程,分析了电磁场在连铸技术中应用的原理,以及电磁场在电磁搅拌、电磁制动、冷坩埚和软接触方面的发展现状,分析了电磁场在连铸技术应用中所存在的问题,并......
[期刊论文] 作者:张彦辉,王杏娟,朱立光,张燕平,, 来源:华北理工大学学报(自然科学版) 年份:2016
设计了正交试验,通过保护渣电磁特性测量装置测定了20 kHz高频电磁场作用下保护渣黏度随温度变化的曲线,并计算了保护渣的黏流活化能,研究了保护渣中碱度、Na2O、MgO、CaF2及...
[期刊论文] 作者:张彦辉,朱慧娈,吴蕾,黄志,匡武, 来源:第十三届长三角科技论坛环境保护分论坛 年份:2016
针对南淝河流域目前存在的水污染严重的问题,在对水质现状、水量构成和大量现场调查分析的基础上,识别出流域内存在的主要环境问题,提出了相应的治理策略,以便为南淝河水环境...
[期刊论文] 作者:张彦辉,朱慧娈,吴蕾,黄志,匡武, 来源:安徽农业科学 年份:2016
针对南淝河流域水污染严重的现象,在对水质现状、水量构成和大量现场调查的基础上,分析了流域内存在的主要环境问题,提出了相应的治理策略,为南淝河水环境达标治理提供理论支...
[期刊论文] 作者:田铁磊,徐晨光,张彦辉,邢宏伟,李杰,, 来源:钢铁钒钛 年份:2016
为了找到不同熔剂之间的适宜搭配,研究不同熔剂之间的两两搭配对生球强度、爆裂温度及抗压强度的影响规律,探索镁质熔剂性球团适宜的焙烧区间;并结合factsage软件确定适宜的...
[会议论文] 作者:王杏娟,朱立光,樊亚鹏,张燕平,张彦辉, 来源:第三届全国电磁冶金与强磁场材料科学会议 年份:2016
设计五因素四水平正交试验,通过保护渣电磁特性测量装置测定了高频电磁场作用下保护渣黏度随温度变化的曲线,根据Arrhenius方程和最小二乘原理计算相应的黏流活化能,研究了保...
[会议论文] 作者:王杏娟,樊亚鹏,朱立光,张燕平,张彦辉, 来源:第三届全国电磁冶金与强磁场材料科学会议 年份:2016
设计五因素四水平正交试验,通过保护渣电磁特性测量装置测定了高频电磁场作用下保护渣黏度随温度变化的曲线,根据Arrhenius方程和最小二乘原理计算相应的黏流活化能,研究了保护渣中碱度、Na2O、MgO、CaF2及BaO的成分变化对其流变性的影响,为软接触电磁连铸技术......
[期刊论文] 作者:段红彪,张彦辉,王华,常锦才,瞿云华, 来源:应用数学进展 年份:2016
建立了铁前生产成本因素之间的关系模型,一方面从宏观的大数据角度分析,挖掘出超越人们经验的影响因子;另一方面从微观角度分析,进行了精细模型的研究,应用区间规划算法,建立...
[期刊论文] 作者:龙跃,徐晨光,张彦辉,田铁磊,赵波,邢宏伟,, 来源:钢铁钒钛 年份:2016
为了探究MgO含量变化对高镁碱性球团矿强度的影响规律,采用本地磁铁矿配以钙镁添加剂的方式造球。同时运用Factsage热力学软件,液氮吸附仪,X-射线衍射仪等检测手段,探究在固...
[期刊论文] 作者:常阳,崔建勇,谭靖,李伯平,张彦辉,张良圣,, 来源:世界核地质科学 年份:2016
铀在水溶液中形态分布复杂,直接测量困难,分析数据使用相关软件依据热力学常数计算铀的形态分布简单可行。以尕斯库勒地区盐湖水为例,应用地球化学软件PHREEQC进行模拟计算,...
[期刊论文] 作者:张彦辉,魏杰,尹超,谭桥,刘建平,李鹏程,罗小蓉,, 来源:Chinese Physics B 年份:2016
A uniform doping ultra-thin silicon-on-insulator(SOI) lateral-double-diffused metal-oxide-semiconductor(LDMOS)with low specific on-resistance(R_on,sp) and high...
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