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[期刊论文] 作者：黄诗浩,李成,陈城钊,王尘,谢文明,林抒毅,邵明,聂明星,陈彩云,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
The properties of n-Ge epilayer deposited on Si substrate with in-situ doping technology in a cold-wall ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD) syste...
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