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[会议论文] 作者：Pan Shiyang,Wang Fang,Huang Peijun,Xu Jian,Xu Ting,Yang Ruixia,Peng Ying,Han Yue,Wang Peng,
来源：中华医学会第七次全国中青年检验医学学术会议 年份：2012
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,Label-Free and Real-Time Detection of Antigen-Antibody Capture Processes Using the Oblique-Incidenc
[期刊论文] 作者：HE Li-Ping,DAI Jun,SUN Yue,WANG Jing-Yi,L(U) Hui-Bin,WANG Shu-Fang,JIN Kui-Juan,ZHOU Yue-Liang,YANG Guo-Zhen,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2012
We successfully label-free and real-time detect the capture processes of human immunoglobulin G (IgG)/goat anti-human IgG and mouse IgG/goat anti-mouse IgG anti...
[会议论文] 作者：Zhang Yue,Wang Xiaofeng,Xin Guoqiang,Lin Yang,Ma Yong,张越,王晓峰,辛国强,林洋,马勇,李镇,费鹏,Li Zhen,Fei Peng,Jiang Maofa,
来源：2012年全国炼钢-连铸生产技术会 年份：2012
本文针对超深冲类低氮钢种生产过程中对脱氮相关因素进行系统分析，并在工业现场试验中进行了验证.结果表明在转炉冶炼过程中随钢水中硫含量的降低，转炉渣量的增加，转炉终点......
[会议论文] 作者：Guodong Gu,顾国栋,蔡勇,王越,于国浩,董志华,曾春红,张宝顺,Yong Cai,Yue Wang,Guohao yu,Zhihua Dong,Chunhong Zeng,Baoshun Zhang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文提出了一种提高AlGaN/GaN HEMT的击穿电压的结构,即纳米沟道阵列。在栅漏间距为lm的情况下,含有纳米沟道阵列结构的器件的关态击穿电压达到105V,而无此结构的常规器...
[会议论文] 作者：Guodong Gu,顾国栋,蔡勇,Yong Cai,Zhihong Feng,冯志红,Yue Wang,王越,Guohao yu,于国浩,Zhihua Dong,董志华,曾春红,Chunhong Zeng,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文提出了一种提高AlGaN/GaN HEMT的击穿电压的结构,即纳米沟道阵列。在栅漏间距为lm的情况下,含有纳米沟道阵列结构的器件的关态击穿电压达到105V,而无此结构的常规器件的击穿电压为54.5V。通过计算,纳米沟道阵列器件的栅漏之间的平均击穿场强达到1 MV/cm,大......
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