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[期刊论文] 作者：马腾，苏丹丹，周航，郑齐文，崔江维，魏莹，余学峰，郭旗，Ma,
来源：城市道桥与防洪 年份：2018
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：王信[1]陆妩[2]郭旗[2]吴雪[1]马武英[1]崔江维[2],
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
选取三款R-2R梯形网络架构混合工艺数模转换器作为研究对象,三款样品分别采用LC2MOS、CBCMOS 和BiCMOS工艺制作,使用60Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电...
Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiatio
[期刊论文] 作者：郑齐文,余学峰,崔江维,郭旗,任迪远,丛忠超,周航,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories(SRAMs) during total dose irradiation is investigated in detail. As the dose accumulates, the...
[会议论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,崔江维,李茂顺,李明,王义元,
来源：第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2010
本文从FPGA器件内部最丛本的CMOS单元出发，分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系，进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应。实验结果表明：由于场氧漏电和结构漏电的影响，随着累积剂量的增加输出波形发生畸变，峰峰值......
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,王义元,李豫东,孙静,李茂顺,崔江维,,
来源：强激光与粒子束 年份：2010
为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模...
[期刊论文] 作者：崔江维,余学峰,刘刚,李茂顺,高博,兰博,赵云,费武雄,陈睿,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明：随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺...
[期刊论文] 作者：张晋新,郭红霞,文林,郭旗,崔江维,范雪,肖尧,席善斌,王信,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
对国产锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷...
[期刊论文] 作者：赵云,何承发,刘艳,杨进军,卫平强,兰博,崔江维,费武雄,李,
来源：原子能科学技术 年份：2011
使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂和甲醛等在常氧条件下制备出一种新型的PAGAT聚合物凝胶剂量计。实验结果表明：剂量计的磁共振横向弛豫率随吸收剂量的增加而增大,经计算,...
[期刊论文] 作者：李明,余学峰,许发月,李茂顺,高博,崔江维,周东,席善斌,王,
来源：原子能科学技术 年份：2012
通过比较1Mbit商用静态随机存储器（SRAM）在6种不同偏置条件下器件参数（静态和动态功耗电流）和功能参数（错误数）随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射损伤的......
[期刊论文] 作者：崔江维,郑齐文,余德昭,周航,苏丹丹,马腾,魏莹,余学峰,郭,
来源：电子学报 年份：2018
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性（NBTI）是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的6...
[期刊论文] 作者：席善学,陆妩,郑齐文,崔江维,魏莹,姚帅,赵京昊,郭旗,
来源：电子学报 年份：2019
研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon on insulator)器件总剂量效应的影响.在 TG偏置下,辐照 130nmPD(部分耗尽,partiallydepleted)SOINMOSFET(N型金属氧化物...
[期刊论文] 作者：李茂顺,余学峰,郭旗,李豫东,高博,崔江维,兰博,陈睿,费武,
来源：核电子学与探测技术 年份：2010
对1Mbits的静态随机存储器（SRAM）进行了总剂量辐照及退火试验，试验结果表明：静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大；静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性，非常适合作为辐......
[期刊论文] 作者：李明,余学峰,卢健,高博,崔江维,周东,许发月,席善斌,王飞,
来源：核技术 年份：2011
通过对PDSOI CMOS静态随机存储器（SRAM）在静态偏置条件下器件功耗电流和功能错误数随辐射总剂量、退火时间的变化规律,以及不同温度（25oC和100oC）条件的退火行为进行研究,探讨了S...
[期刊论文] 作者：赵云,何承发,刘艳,杨进军,卫平强,兰博,崔江维,费武雄,李,
来源：原子能科学技术 年份：2004
使用丙烯酞胺、明胶、交联剂、除氧剂和甲醛等在常氧条件下制备出-种新型的PAGAT聚合物凝胶剂量计.实验结果表明:剂量计的磁共振横向弛豫率随吸收剂量的增加而增大,经计算,得...
[期刊论文] 作者：李明,余学峰,许发月,李茂顺,高博,崔江维,周东,席善斌,王,
来源：原子能科学技术 年份：2004
通过比较1 Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射...
[期刊论文] 作者：席善学,郑齐文,崔江维,魏莹,姚帅,何承发,郭旗,陆妩,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2019
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成...
[期刊论文] 作者：苏丹丹,周航,郑齐文,崔江维,孙静,马腾,魏莹,余学峰,郭旗,
来源：微电子学 年份：2018
为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65 nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线...
[会议论文] 作者：高博,王义元,李鹏伟,于跃,李茂顺,崔江维,余学峰,任迪远,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不...
[会议论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,王义元,李鹏伟,于跃,李茂顺,崔江维,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不同源程序所需的模块不同，并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系，详细......
[期刊论文] 作者：周航,郑齐文,崔江维,余学峰,郭旗,任迪远,余德昭,苏丹丹,,
来源：物理学报 年份：2016
空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,绝缘体上硅（SOI）技术由此进入空间科学领域,这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战.进行SOI N型...
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