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[期刊论文] 作者：张永兴,孙国胜,王雷,赵万顺,高欣,曾一平,李晋闽,李思渊,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了低压化学气相淀积方法制备的 n- 3C- Si C/p- Si(10 0 )异质结二极管 (HJD)在 30 0～ 4 80 K高温下的电流密度 -电压 (J- V)特性 .室温下 HJD的正反向整流比 (通常定义为...
[会议论文] 作者：张南红,王晓亮,王军喜,刘宏新,肖红领,曾一平,李晋闽,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
作用NH源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度为0.88nm.加5.5V偏压,当波长小于363nm时,MSM紫外探测器峰值响应度为1.97A/W;当波长大于383nm时,响应度为6.8×10A/W.......
[期刊论文] 作者：王亮,赵永梅,宁瑾,孙国胜,王雷,刘兴坊,赵万顺,曾一平,李,
来源：半导体学报 年份：2004
介绍了一种微机械叉指静电驱动折叠悬臂梁谐振器的设计和制作方法.将Rayleigh分析法和有限元分析法结合起来分析调整器件尺寸和材料参数对器件性能的影响.制作了三种不同悬臂...
[期刊论文] 作者：周文政,林铁,商丽燕,黄志明,崔利杰,李东临,高宏玲,曾一平,
来源：物理学报 年份：2004
研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的...
[期刊论文] 作者：孙国胜,张永兴,高欣,王军喜,王雷,赵万顺,王晓亮,曾一平,李晋闽,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：仇志军,桂永胜,崔利杰,曾一平,黄志明,疏小舟,戴宁,郭少令,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象.通过分析拍频节点位置,得到电子对...
[期刊论文] 作者：孙国胜,张永兴,高欣,王军喜,王雷,赵万顺,王晓亮,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2004
利用新研制出的垂直式低压 CVD(L PCVD) Si C生长系统 ,获得了高质量的 5 0 mm 3C- Si C/ Si(111)衬底材料 .系统研究了 3C- Si C的 n型和 p型原位掺杂技术 ,获得了生长速率...
[期刊论文] 作者：王晓亮,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,刘宏新,孙殿照,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2004
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm^2／(V·s)，二维电子气浓度为1．0×10^13cm^-2，77K迁移率为2653cm^2／(V·s)，二维电子气浓度为9．6×10^12cm^-2的AlG...
[期刊论文] 作者：王晓亮,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,刘宏新,孙殿照,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2004
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁...
[期刊论文] 作者：王军喜,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰,
来源：应用光学 年份：2004
利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及...
[期刊论文] 作者：孙国胜,王雷,罗木昌,赵万顺,孙殿照,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2004
介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)衬底上获得了高质量的3C-SiC外延材料.用X射...
[会议论文] 作者：曾宇昕,刘伟,杨富华,徐萍,谭平恒,章昊,边历峰,郑厚植,曾一平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测......
[会议论文] 作者：肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,李晋闽,吴荣汉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面形貌的影响,发现V/Ⅲ比和生......
[期刊论文] 作者：王晓亮,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,刘宏新,孙殿照,曾一平,钱鹤,李晋闽,孔梅影,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2004
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为 10 35 cm2 /(V· s) ,二维电子气浓度为 1.0× 10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为 2 6 5 3cm2 /(V· s) ,二维电子气浓度为 9.6× 10 1 2...
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