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[期刊论文] 作者：姚小江,马凯莉,邹伟欣,何圣贵,安继斌,杨复沫,董林,
来源：催化学报 年份：2017
随着人们环保意识的增强,氮氧化物(NOx)的危害引起广泛关注.NOx作为首要的大气污染物之一,主要来源于以燃煤电厂为代表的固定源和以机动车为代表的移动源.它不仅能够导致酸雨...
[期刊论文] 作者：姚小江,马凯莉,邹伟欣,何圣贵,安继斌,杨复沫,董林,,
来源：催化学报 年份：2017
随着人们环保意识的增强,氮氧化物(NO_x)的危害引起广泛关注.NO_x作为首要的大气污染物之一,主要来源于以燃煤电厂为代表的固定源和以机动车为代表的移动源.它不仅能够导致酸...
[会议论文] 作者：彭超,田密,陈阳,王小亮,王欢博,姚小江,石光明,杨复沫,
来源：NCEC2019第十届全国环境化学大会 年份：2019
大气气溶胶中吸光性有机碳(棕色碳,BrC)可影响能见度和辐射强迫,但目前对BrC 的吸光特性和化学组成之间关系仍缺乏足够认识。本研究以三峡库区(3 个城区点、1 个乡村背景点)2015 冬和2016 夏的样品为对象,采用DRI 多波段热光碳分析仪进行光学测量,分析BrC 的光......
[期刊论文] 作者：姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,刘丹,刘果果,刘,
来源：电子器件 年份：2007
我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26...
[期刊论文] 作者：姚小江,李露露,邹伟欣,虞硕涵,安继斌,李红丽,杨复沫,董林,
来源：催化学报 年份：2016
机动车在给人类生活带来便利的同时,也造成了严重的大气污染.其尾气净化成为人们关注的焦点.一氧化氮（NO）、一氧化碳（CO）和碳氢化合物（HCs）是机动车尾气中的三大典型污染物,主要通......
[期刊论文] 作者：李诚瞻,刘键,刘新宇,刘果果,庞磊,陈晓娟,刘丹,姚小江,和,
来源：电子器件 年份：2007
对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺...
[期刊论文] 作者：姚小江,李露露,邹伟欣,虞硕涵,安继斌,李红丽,杨复沫,董林,,
来源：催化学报 年份：2016
机动车在给人类生活带来便利的同时,也造成了严重的大气污染.其尾气净化成为人们关注的焦点.一氧化氮(NO)、一氧化碳(CO)和碳氢化合物(HCs)是机动车尾气中的三大典型污染物,...
[期刊论文] 作者：姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,罗卫军,王晓亮,,
来源：半导体学报 年份：2007
研制了一种基于AlGaN／GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路．该电路包含4个10×120μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器．在偏置条件为VDS=40V，IDS=0．9...
[期刊论文] 作者：李诚瞻,刘键,刘新宇,刘果果,庞磊,陈晓娟,刘丹,姚小江,和致经,,
来源：电子器件 年份：2007
对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺...
[会议论文] 作者：姚小江,刘新宇,刘键,魏珂,李诚瞻,刘丹,刘果果,陈小娟,和致经,
来源：2005全国微波毫米波会议 年份：2006
通过观察AlGaN/GaN HEMT器件在不同的环境温度下直流特性的变化以及器件置于一段时间高温环境后冷却至室温直流特性的变化得出AlGaN/GaNHEMT器件的直流特性随温度的变化趋势,...
[期刊论文] 作者：姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,刘丹,刘果果,刘新宇,王晓亮,罗卫军,,
来源：电子器件 年份：2007
我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时...
[期刊论文] 作者：姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,罗卫军,王晓亮,刘丹,刘果果,刘新宇,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,罗卫军,王晓亮,刘丹,刘果果,刘新宇,,
来源：半导体学报 年份：2007
研制了一种基于Al GaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0...
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