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[期刊论文] 作者：张朝明,卢志恒,张荟星,李素杰,罗晏,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1989
剂量为1×1015cm-2的10keV B+和45keV BF2+分别注入（100）n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的条件下分别进行快速热退火.使用扩展电阻仪,对B+和BF2+注入...
[期刊论文] 作者：吴先映,张孝吉,李强,张胜基,张荟星,刘安东,,
来源：核技术 年份：2006
介绍了金属蒸气真空弧（Metal vapor vacuum arc，MEVVA）离子源的凸形引出电极的研制。研究表明，凸形引出电极可以完成离子束的强制发散功能，从而在较短的引出距离和较小的引出电极...
[期刊论文] 作者：张旭,王耀辉,吴先映,李强,张荟星,张孝吉,
来源：2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议 年份：2006
采用磁过滤阴极弧沉积技术以金属Ti为阴极在真空室中加入C2H2气体来制备含Ti类金刚石薄膜,研究不同的过滤弯管磁场和在有过滤磁场存在条件下不同的C2H2气压对含Ti类金刚石薄...
[期刊论文] 作者：田人和,顾永俶,贺凯芬,卢武星,张荟星,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1992
考虑瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了强流恒定离子束辐照过程的温度效应.由温升曲线的计算可知,对中等以上的注量率(>10~(13)cm~(-2)s~(-1))来说,快速注入过程都将是...
[期刊论文] 作者：吴瑜光,张通和,张荟星,张孝吉,周固,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：2001
采用MEVVA离子注入机引出的Ag ,Cu ,Ti和Si离子注入聚酯薄膜 ,注入后的聚酯膜电阻率大大降低了 .用透射电子显微镜观察注入聚酯膜的横截面 ,TEM照片表明 ,在注入层中形成了纳...
[会议论文] 作者：张通和;张荟星;梁宏;张孝吉;吴瑜光;,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
在该文中研究人员给出了MEVVA离子注入材料改性研究中的特殊物理问题和应用方面的最新结果。包括注入离子在固体材料中的射程分布理论研究；强流金属离子注入金属间化合物生成...
[期刊论文] 作者：李国辉,阎凤章,张通和,张荟星,吕贤淑,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
一、实验方法本实验所使用的材料为P型硅单晶,电阻率p=5-10Ω-cm,选用160keV,150keV,80keV的能量;5×10~(15)-1×10~(1(?))cm~(-2)的剂量;0.5-7μA/cm~2的束流密度;倾斜7°...
[期刊论文] 作者：赵志勇,张通和,梁宏,张荟星,张孝吉,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：1997
用金属蒸发真空弧离子源(MEVVA)引出的C~+注入了多弧离子镀TiN多层膜C~+注入TiN膜的硬度随注入量和束流密度的增加而增加.X射线分析(XRD)表明,在注入的膜中TiC相已经形成,退...
[期刊论文] 作者：赵志勇,张通和,梁宏,张荟星,张孝吉,
来源：Science in China(Series E:Technological Sciences) 年份：1997
Using the MEVVA ion source, carbon ions have been implanted in TiN coatings deposited by multi-arc ion plating The Vickers microhardness of the C+ -implanted T...
[期刊论文] 作者：吴先映，周凤生，张孝吉，张荟星，罗云,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1995
通过采用加会切磁场、增大离子源阴极与阳极距离并限制源等离子体发射角，从而使源阳极电位高于等离子体电位和采用改变源阳极结构──仅用阳极筒──从而改变弧放电路径这３种方......
[期刊论文] 作者：王广甫,田人和,吴瑜光,张孝吉,张荟星,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1999
介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对孤源放电稳定性的影响不如阴极接......
[会议论文] 作者：吴先映,张孝吉,李强,张胜基,张荟星,刘安东,
来源：2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议 年份：2004
本文主要介绍了Mevva离子源的凸形引出电极的研制.研究表明凸形引出电极可以完成离子束的强制发散功能,从而在较短距离和较小电极条件下得到大的束斑和均匀可应用的束流分布....
[期刊论文] 作者：张孝吉,张荟星,周凤生,张胜基,韩主恩,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1991
为满足离子注入材料改性研究和实际应用的需要。研制了一个金属蒸汽真空弧(简称MEVVA)离子源.这是一新型离子源种,它利用阴极和阳极间的真空弧放电原理由阴极表面直接产生高...
[期刊论文] 作者：吴瑜光,张通和,张荟星,张孝吉,王广甫,
来源：微细加工技术 年份：2001
采用磁过滤阴极真空孤沉积技术对从孤源引出离子束中的大颗粒进行过滤后，在硅和聚合物表面进行离子注入和低能离子束沉积，可获得特性优异的沉积金属膜、超硬膜(类金刚石，CN膜)、......
[期刊论文] 作者：张孝吉,张荟星,周凤生,吴先映,李强,刘风华,
来源：原子核物理评论 年份：1997
为发展金属离子束材料表面改性技术的工业应用，北师大低能核物理所研制成阴极真空弧离子源和离子注入装置．简要介绍该设备的结构、原理和性能．In order to develop the indust...
[期刊论文] 作者：吴先映,廖斌,张旭,李强,彭建华,张荟星,张孝吉,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2014
金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体．通过二或三电极引出系统，可以把金属等离子体中的金属离子引出，并加速成为载能的金属离子束，这是MEVVA离子源技术．将载能离子束......
[期刊论文] 作者：张涛,张通和,梁宏,朱宏,张荟星,马本堃,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1997
采用Ar+离子溅射方法将300nmSnO2薄膜沉积在Si片上．分别对膜层进行60keV，5×10(16)cm(-2)Mg+离子注入和100keV，5×10(16)cm(－2)Nb+离子注入．对未注入、Mg+离子注入、Nb+离子注入3...
[期刊论文] 作者：李璟, 黄杰, 王锴, 张荟星, 彭建华, 邓春凤, 吴先映,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2014
为得到高密度的等离子体，设计研制了组合体脉冲真空电弧源，它由4套脉冲真空电弧源组合而成.测量了脉冲真空电弧源弧压与弧流的关系；利用静电探针测量了组合体脉冲真空电弧源和单......
[会议论文] 作者：张旭, 王耀辉, 吴先映, 周奎, 李强, 张孝吉, 张荟星,
来源： 年份：2004
采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术制备nc-TiC/a-C:H纳米复合膜,用X射线衍射、扫描电镜、X射线电子能谱、原子力显微镜、拉曼光谱、高分辨透射电子显微镜和纳米力学探针等研究...
[会议论文] 作者：张胜基, 周凤生, 张孝吉, 张荟星, 李强, 韩主恩,,
来源： 年份：2004
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