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[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组，得到了直流工......
[会议论文] 作者：薛舫时;,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
由能带混合量子阱和掺杂接口构成的纳米控制极对有源层中的电场结构和电子谷间转移过程产生的显著的控制效应。它使耿氏器件中的强场畴渡越模式改变成新的电场弛豫振荡模式从...
[会议论文] 作者：薛舫时,
来源：中国电子学会电子学科归国学者学术会议 年份：1991
该文从半导体电子所受的近程势和远程势的相互作用出发阐述了电子态在坐标空间和动量空间的特征。在此基础上提出了研究半导体中的杂质电子态的多能谷模型，对于Ⅲ－Ｖ族化合物的ＤＸ中......
[会议论文] 作者：薛舫时;,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
该文运用多能谷电子隧穿理论和MonteCarlo模拟建立了异质谷间转移电子器件的动态工作模拟模型。在此基础上编制成模拟设计软件，对各类结构器件进行了模拟计算。发现了两种谷间...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
从不同栅电压下异质结能带和电子气状态研究出发,研究了GaN HFET栅压变化时的异质结充放电过程。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算出不同偏置电压下内、外沟道的导...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
第五届全国半导体物理学术会议于1985年12月3日至6日在厦门召开.来自全国各高等院校、科研单位和工厂的二百余名代表出席了本届大会,他们之中有我国知名的老一辈半导体物理学...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
第五届全国半导体物理学术会议由厦门大学负责筹备.迄今为止已收到全国各高等院校、研究所和工厂寄来的论文三百余篇,内容涉及半导体电子态、光学性质、非晶半导体、半导体表...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The transferred electron effect between different valleys in AlGaAs/ GaAs/AlGaAs heterostructure is studied using the one-band two-valley model in this paper. T...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体学报 年份：1988
本文从分区变分的概念出发提出了一种计算半导体中杂质能级的新方法.它计入了杂质原于的短程势、长程势和主晶格周期势的贡献,是一种第一原理性的计算方法,便于进行自治计算...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1983
本文简要介绍了分区变分法和Ⅳ族半导体能带的计算,给出了金刚石、硅和锗的能带.在此基础上又讨论了自洽能带计算和经验调整能带计算方法,从而给出了分区变分法的一个完整的...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体学报 年份：1989
本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs量于阱中的Г-X混和现象.介绍了Г态、X态和能级高于势垒的谐振态的特点.给出了谐振态能级随势阱和势垒层宽变化的关系.阐述了超薄层...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体技术 年份：1979
一、引言 早在三十年代,人们就已经开始研究能传输微波能量的金属波导和产生微波能量的几种微波电子管,为微波技术的实验研究打下了良好的基础。二次世界大战期间,微波技术...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1982
固体能带理论的研究工作已经进行了整整半个世纪.早期的工作着重于研究在周期性势场作用下电子波函数及其能量状态的一般特征,在此基础上建立起固体能带论模型,从而为固体物...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
3瞬态电流谱和瞬态电阻谱中两种电子气的动态电流峰为了深入研究器件射频工作中的电流崩塌,许多作者测量了栅漏偏置电压改变时沟道的动态输运行为,获得了大量瞬态电流谱和瞬...
[会议论文] 作者：薛舫时,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
宽禁带GaN HFET击穿电压高、二维电子气密度和迁移率高,达到了很高的输出功率和PAE.但是器件射频工作中的电流崩塌限制了器件的射频工作性能,更影响了其可靠性和实际应用.目前普遍采用陷阱引起的虚栅模型来研究.在传统陷阱理论中,都用禁带中的束缚能级和俘获截......
[期刊论文] 作者：薛舫时，XueFangshi,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：薛舫时,陈堂胜,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发，研究了纵、横向电场作用下GaNHFET沟道中的电子态和夹断特性。建立了不同异质结构和电场梯度下的电荷控制模型；运用热电子隧穿电流崩......
[期刊论文] 作者：薛舫时,张允强,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ的势垒峰宾空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空穴波函数汇聚在势垒峰周围而同量子限制在...
[期刊论文] 作者：周豪慎,薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
自1970年Esaki和Tsu提出超晶格(SL)设想以来,超晶格薄膜和超晶格器件作为一种人工调制结构,正愈来愈受到人们的重视,取得了很大进展。 对于厚层超晶格SL(n,m),n,m均大于8,用...
[期刊论文] 作者：薛舫时,邓衍茂,张崇仁,
来源：电子学报 年份：1996
本文介绍了应用直接带隙ＧａＡｓ和间接带隙ＡｌＡｓ构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件－异质谷间转移电子器件。概述了器件的结构和基本的微波工作特性，器件已在８ｍｍ波段......
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