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[期刊论文] 作者：何建廷,庄惠照,薛成山,田德恒,吴玉新,赵婧,刘亦安,薛守斌,
来源：电子元件与材料 年份：2006
综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积（PLD）技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响，ZnO薄膜的厚度在超过400nm时，呈现出了近似块状的性质．采用PLD技术，可以在适当的条件......
[期刊论文] 作者：吴玉新,薛成山,庄惠照,田德恒,刘亦安,孙莉莉,王福学,艾玉杰,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2006
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3／BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子...
[期刊论文] 作者：何建廷,庄惠照,薛成山,田德恒,吴玉新,刘亦安,胡丽君,薛守斌,,
来源：功能材料 年份：2006
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn...
[期刊论文] 作者：薛成山,吴玉新,庄惠照,田德恒,刘亦安,何建廷,艾玉杰,孙莉莉,王福学,,
来源：科学通报 年份：2006
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的Ga...
[期刊论文] 作者：刘亦安,薛成山,庄惠照,何建廷,吴玉新,田德恒,孙莉莉,艾玉杰,王福学,,
来源：微细加工技术 年份：2006
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电...
[期刊论文] 作者：何建廷,庄惠照,薛成山,田德恒,吴玉新,赵婧,刘亦安,薛守斌,胡丽君,,
来源：电子元件与材料 年份：2006
基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现,ZnO薄膜成为新的研究热点。综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响,ZnO薄膜的厚度在...
[期刊论文] 作者：刘亦安,薛成山,庄惠照,张晓凯,田德恒,吴玉新,孙莉莉,艾玉杰,王福学,,
来源：物理化学学报 年份：2006
报道了一种新颖而有效的二步制备氮化镓粉末的方法.以乙氧基镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,在950℃氨化温度下,将凝胶与流动的NH3反应20min,合成...
[期刊论文] 作者：刘亦安,薛成山,庄惠照,张晓凯,田德恒,吴玉新,孙莉莉,艾玉杰,王福学,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2006
以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶．凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉...
[期刊论文] 作者：吴玉新，薛成山，庄惠照，田德恒，刘亦安，孙莉莉，王福学，艾玉杰，WuYuxin，XueChengshan，ZhuangHuizhao，TianDeheng，LiuYi\'an，SunLili，WangFuxue,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2006
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[期刊论文] 作者：刘亦安，薛成山，庄惠照，张晓凯，田德恒，吴玉新，孙莉莉，艾玉杰，王福学，LiuYian，XueChengshan，ZhuangHuizhao，ZhangXiaokai，TianDeheng，WuYuxin,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2006
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