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[期刊论文] 作者：杨邦朝,徐蓓娜,
来源：电子元件与材料 年份：1993
作为第四代组装技术的SMT,将采用SMD和自动化设备,以超大规模集成电路为中心,应用复合的SMD和二维化微型组件,用多层混合组装方式,使高密度组装技术向高层次发展。元件将随之...
[期刊论文] 作者：杨邦朝,冯哲圣,,
来源：电子元器件应用 年份：2001
电容器行业一直是我国电子元器件产业的重要支柱之一,同时电容器作为电子整机系统的必用元件,历来受到各国的重视.近两年,随着电子整机产品市场格局的调整,通信、计算机和A/V...
[期刊论文] 作者：杨邦朝,胡永达,,
来源：电子元器件应用 年份：2000
三维多芯片组件（３－Ｄ ＭＣＭ）是在二维多芯片组件（２－Ｄ ＭＣＭ）基础上发展起来的，是９０年代微组装技术的标志。由于它的封装密度高，结构紧凑，延迟时间短，日益受到国际微电子工业界的重视。本文阐述了３－Ｄ ＭＣＭ的优......
[期刊论文] 作者：杨邦朝,蒋明,等,
来源：电子元器件应用 年份：2001
随着信息与通信产业的迅速发展，对无源元件的需求量急剧增长，使无源元件的产销呈现一派大好形势，无源元件生产厂商的经济效益上升，无源元件产业进入了一个高速发展景气周期。本文......
[期刊论文] 作者：冯哲圣,杨邦朝,
来源：仪器仪表学报 年份：2003
利用高纯电子铝箔在HCl+H2SO4混酸体系中的点蚀行为进行的电蚀扩面技术,是铝电解电容器实现小型化、高性能化与片式化的关键技术.受到微观原位观测手段的限制,高纯电子铝箔的...
[期刊论文] 作者：杜晓松,杨邦朝,
来源：仪表技术与传感器 年份：2000
文中综述了动态高压锰铜传感器最近十多年来的研究现状，着重介绍了一类新型的锰铜传感器－薄膜式锰铜传感器的研发进展。该类传感器的研制旨在提高传感器高压测试极限和缩短响应......
[期刊论文] 作者：贾宇明,杨邦朝,
来源：功能材料 年份：1998
研究了温度对Ｐ型金 石薄膜电导性能的影响，采用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）的方法在Ｓｉ３Ｎ４基片上制作了掺硼金刚石薄膜，测量了不同掺硼浓度的电导温度特性关系，提出了一种简化的能带模型......
[期刊论文] 作者：杜晓松,杨邦朝,
来源：仪表技术与传感器 年份：2000
采用真空蒸发技术在聚酰亚胺、云母、陶瓷及基板上制作了镱薄膜传感器，研究了该传感器在７０ＭＰａ～２ＧＰａ范围内准静态单轴压缩载荷下电阻－压力的变化关系。结果表明该传感器精度高、重复性好、......
[期刊论文] 作者：肖占文,杨邦朝,
来源：中国腐蚀与防护学报 年份：1999
建立了一个估算在盐酸溶液中交流电解腐蚀铝箔时阴极半周铝表面液层酸度变化和预测腐蚀膜沉积的数学模型。分析结果表明：电极表面液层酸度仅取决于盐酸本体浓度，外加阴极电流密......
[期刊论文] 作者：贾宇明,杨邦朝,
来源：真空科学与技术 年份：1997
对ｐ型金刚石薄膜上Ｔｉ／Ａｕ结构（金刚石－Ｔｉ／Ａｕ结构）的欧姆接触和界面特性进行了研究。采用微波等离子体ＣＶＤ方法在Ｓｉ基片上制作出掺硼的金刚石薄膜，然后在金刚石薄膜表面上蒸发Ｔｉ／Ａｕ双层金属以形成接触电极......
[期刊论文] 作者：刘兴钊,杨邦朝,
来源：功能材料 年份：1996
本文综述了后处理及原位生长ＢｉＣｒＣｕＯ高潮温超导薄膜的主要进展，重点讨论了影响１１０Ｋ相生长速率的工艺因素及提高Ｂｉ系高温超导薄膜质量的可能方法。...
[期刊论文] 作者：杨邦朝,顾永莲,
来源：印制电路信息 年份：2005
针对数种无铅焊料,如Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-In与Sn-Ag-Cu四种合金,尤其是具应用潜力的共晶无铅合金,与Cu、Ag、Ni三种基材的接触,整理分析了其重要的基础性质--反应润湿,可作为无...
[期刊论文] 作者：杨文,常爱民,杨邦朝,
来源：硅酸盐学报 年份：2002
利用微波烧结技术和传统烧结技术制备了晶粒尺寸在0.8～15μm的Ba0.80Sr0.20TiO3陶瓷，并对样品的介电特性和铁电特性进行了测试，分析了晶粒尺寸对材料介电和铁电性能的影响，实验结...
[期刊论文] 作者：杜晓松,杨邦朝,
来源：微电子学 年份：2000
芯片尺寸封装（ＣＳＰ）技术是近年来发展最为迅速的微电子封装新技术。文中介绍了该技术的基本概念、特点、主要类型及其应用现状和展望。...
[期刊论文] 作者：刘兴钊,杨邦朝,
来源：电子学报 年份：1997
采用偏轴直流磁控溅射原位生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜，以Ｈ３ＰＯ４为腐蚀液，采用化学湿刻工艺制作ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜微桥，微桥长１０μｍ，宽５μｍ，在８ｍｍ微波源的辐照下，除观察到整数常压台阶外，还观察到ｎ＝１／２，１／５，６／５，９／５等分数常压台......
[期刊论文] 作者：贾宇明,杨邦朝,
来源：电子学报 年份：1998
用微波等离子体ＣＶＤ方法制作了掺硼金刚石薄膜热敏电阻器。该器件的结构由Ｓｉ３Ｎ４基底和２μｍ厚的掺硼金刚石薄膜组成，并采用了经退火处理的钛／金双金属层制作欧姆接触，结果在室温到６００℃范围内获......
[期刊论文] 作者：杨文,常爱民,杨邦朝,
来源：中国粉体技术 年份：2002
采用溶胶-凝胶工艺制备了(Ba,Sr)TiO3凝胶 ,并利用微波烧结技术对凝胶进行合成和烧结.结果表明,获得的(Ba,Sr)TiO 3粉体颗粒较细,与传统固相反应合成法相比,其钙钛矿相的合成...
[期刊论文] 作者：贾宇明,杨邦朝,
来源：电子科技大学学报 年份：1997
Ａｌ原子含量约为５０％的Ｔａ／Ａｌ合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜，靶极采用了Ａｌ面积为４５％的Ｔａ／Ａｌ复合靶研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜......
[期刊论文] 作者：贾宇明,杨邦朝,
来源：电子科技大学学报 年份：1997
在用直流共溅射法制备Ｔａ／Ａｌ合金电阻薄膜的工艺中，研究了主要工艺参数，例如靶基获取薄膜的最佳工艺条件和ＴＣＲ值。结果表明只要适当选取和很好控制四种主要工艺参数就可以制出ＴＣＲ性能优良的......
[期刊论文] 作者：贾宇明,杨邦朝,
来源：电子科技大学学报 年份：1996
介绍了一种帽状结构的掺硼金刚石膜敏电阻器及其制备工艺。使用ＰＣＶＤ方法在Ｓｉ４Ｎ４或Ｓｉ基片上淀积掺硼金刚石膜膜，然后在金刚石膜上淀积Ｔｉ／Ａｕ薄膜形成欧姆接触电极。结果获得了具有良好温度响应和......
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