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[会议论文] 作者：周春华,李泽宏,胡永贵,刘勇,易黎,钱梦亮,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行电路等效，得到各保护器件参数与功率器件抗ESD能力的解析关系，且模型结果与数值仿真结果吻合良好。通过对模型进行解析运算，得到栅极输入......
[期刊论文] 作者：戴显英,吕懿,张鹤鸣,何林,胡永贵,胡辉勇,
来源：微电子学 年份：2003
在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGe HBT的基区渡越时间模型.该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度.模拟分析结果表...
[期刊论文] 作者：胡永贵,谭开州,张家斌,张正,肖鹏,夏培邦,
来源：微电子学 年份：1999
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I-V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献,得...
[期刊论文] 作者：秦少宏,胡永贵,胡云斌,青旭东,周勇,钟黎,,
来源：微电子学 年份：2017
设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂的无电阻带隙基准源。在传统无电阻带隙基准电压源的基础上引入反馈环路,实现了对电压的箝制,减小了沟道长度调制效应和失调电压,提高...
[期刊论文] 作者：唐昭焕,刘勇,胡永贵,羊庆玲,杨永晖,谭开洲,,
来源：微电子学 年份：2010
从结构上对一种N沟道VDMOS器件的寄生电容进行研究,确定了栅氧化层厚度和多晶线宽是影响VDMOS器件寄生电容的主要因素;使用TCAD工具,对栅氧化层厚度和多晶线宽的变化对各个寄...
[期刊论文] 作者：戴显英,张鹤鸣,吕懿,陈光炳,胡永贵,胡辉勇,
来源：微电子学 年份：2004
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了SiGe异质结晶体管(HBT)各时间常数模型;在考虑发射结空间电荷区载流子分布和集电结势垒区存在可动电荷的基础上,建立了SiGeHBT发射结...
[期刊论文] 作者：唐昭焕,刘勇,王志宽,谭开洲,杨永晖,胡永贵,
来源：微电子学 年份：2010
提出了一种实用的高压BiCMOS工艺.该工艺集成了高性能耗尽型NJFET、NPN、VPNP、高压NMOS、高压PMOS、NMOS、PMOS、齐纳二极管,以及铬硅电阻、磷注入电阻等有源和无源器件.NJF...
[期刊论文] 作者：胡永贵,谭开州,张家斌,张正璠,肖鹏,夏培邦,
来源：微电子学 年份：1999
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I—V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献,得...
[期刊论文] 作者：张皓博, 胡永贵, 李思颖, 丁大胜, 汤洁, 丁锋, 王坤,
来源：微电子学 年份：2004
介绍了一种最大输出电流为300mA的超低压差电压调整器。通过优化误差放大器和反馈电阻网络,以及选择合适的功率管尺寸等措施,有效降低了电压调整器的压差,提高了电压调整器的...
[期刊论文] 作者：王梅生,胡永贵,王秋成,李培明,赵会欣,王彦娟,,
来源：勘探地球物理进展 年份：2009
随着石油与天然气的持续勘探开发，地球物理勘探所面临的地质问题越来越复杂，为了提高地震勘探的分辨率与保真度，需要加密地震数据采集的空间采样密度，减小野外激发和接收组合。介......
[期刊论文] 作者：邓志文,倪宇东,陈学强,胡永贵,李振华,白焕新,
来源：石油物探 年份：2002
复杂山地三维地震采集中存在着地表及地下条件复杂,激发及接收条件差,原始资料信噪比低以及静校正问题突出等难题,同时地下多为高陡复杂构造,资料成像也很困难.针对这些难点,...
[期刊论文] 作者：杜清波,杨韬,孙哲,胡永贵,张洪涛,接铭丽,王秋成,
来源：石油管材与仪器 年份：2022
检波器的埋置效果直接影响着地震采集资料的品质.地震采集生产过程中,需要在完成检波点布设之后,设置巡查工序来保证检波器埋置的质量,这给野外作业的管理带来了巨大挑战.为此提出了一种针对检波器埋置工序的数字化管理技术,通过在野外持有安装检波点拍照助手AP......
[期刊论文] 作者：苏辉, 胡永贵, 白茹, 胡效玮, 尹昆, 苏燕玲, 张建强,
来源：中国环保产业 年份：2021
印染废水是高浓度难降解处理的工业废水之一,印染废水的色度大,有机污染物含量高,可生化性差,水量不稳定。针对废水特点,在生物膜法处理工艺中,采用辫带式生物填料作为微生物...
[期刊论文] 作者：徐阳,杜蒙,顾宪威,李欢,王晨明,胡永贵,张晓妮,
来源：冶金能源 年份：2018
北方冬季烧结机停机检修期间,烧结大烟道余热锅炉的防冻一直是困扰钢厂的一个难题。传统防冻方法具有能耗高、设备风险大和能源介质消耗高等缺点。结合东北某钢厂180m2烧结机...
[期刊论文] 作者：胡刚毅,谭开洲,刘玉奎,张正璠,李开成,江军,胡永贵,
来源：微电子学 年份：2004
文章介绍了硅功率集成电路技术的一些发展动态.单片中小功率智能集成电路发展迅速,以BCD为其主要工艺技术;基于SOI的智能功率集成电路也得到开发.单片集成式的功率管为电源管...
[会议论文] 作者：易黎,周春华,廖忠平,吕沛,李泽宏,胡永贵,刘勇,谭开洲,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
设计了一种基于多晶硅二极管的DMOS器件的ESD保护。多晶硅二极管作为ESD保护较体硅二极管而言，降低了器件泄漏电流，消除了衬底耦合噪声和寄生效应。仿真分析了多晶硅二极管......
[会议论文] 作者：易黎,李泽宏,周春华,胡永贵,刘勇,谭开洲,廖忠平,吕沛,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
设计了一种基于多晶硅二极管的DMOS器件的ESD保护。多晶硅二极管作为ESD保护较体硅二极管而言，降低了器件泄漏电流，消除了衬底耦合噪声和寄生效应。仿真分析了多晶硅二极管ESD保护结构，确定了结构参数，并对其ESD保护能力进行验证。其后结合HBMESD测试电路，进行电热耦......
[期刊论文] 作者：封国强,胡永贵,王健安,黄建国,马英起,韩建伟,张振龙,,
来源：空间科学学报 年份：2010
模拟器件的单粒子瞬态脉冲效应的研究,成为近来国际上单粒子效应研究的热点.针对中国生产的运算放大器SF3503,利用脉冲激光单粒子效应测试装置,试验研究了SF3503工作于反相放...
[会议论文] 作者：白志宏,许银坡,潘英杰,胡永贵,赵君,王汉钧,朱旭江,
来源：2020油气田勘探与开发国际会议(IFEDC2020) 年份：2020
随着高密度高效采集技术的广泛应用,勘探目标区越来越复杂,城镇密布、水网纵横、养殖发达等复杂情况,常造成地震资料的空白和缺口.通过对复杂障碍区采集技术难点进行分析,形成一种基于覆盖次数均匀的激发点优化技术.可以有效提高复杂障碍区观测系统设计的能力,......
[期刊论文] 作者：李山玉,阮姜伟,胡永贵,李秋宁,杞春芳,凃志伟,李家旺,
来源：电子世界 年份：2021
本设计以单片机为核心实现基于实训教学的双向DC-DC变换器,它主要由信号处理电路,变换器主控电路,电压电流采样电路等构成。它通过手动实现双向能量传递切换,即能量可以正向...
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