搜索筛选:
搜索耗时0.7953秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 151 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：王可为,卜建辉,韩郑生,李博,黄杨,罗家俊,赵发展,
来源：原子能科学技术 年份：2021
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值电压与背栅电压之间的耦合机制会在背栅界面从耗尽型过度到强反型后改变,已有的模型不足以描述改变后的耦合机制。为解决这一问题,......
[期刊论文] 作者：杨李鑫昊, 罗家俊, 沈雨澄, 于跃, 孙浩然, 郭玉鹏,,
来源：大学化学 年份：2019
随着“基础学科拔尖人才培养试验计划”(即“珠峰计划”)的实施,越来越多的改革和尝试在各个高校进行。在创新和探索的过程中,一类全新的课程正在被设置,即“学科前沿”类课...
[期刊论文] 作者：郝宁, 罗家俊, 刘海南, 李彬鸿, 吴利华, 于芳, 刘忠,
来源：宇航学报 年份：2004
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间...
[期刊论文] 作者：王磊, 李博, 张学文, 李彬鸿, 罗家俊, 刘新宇, 袁清,
来源：微处理机 年份：2019
针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影响,得出二...
[期刊论文] 作者：鲍进华,吕荫学,李博,曾传滨,毕津顺,罗家俊,,
来源：电子设计工程 年份：2016
基于3.3 V 0.35μm TSMC 2P4M CMOS工艺,设计并实现了一款高速锁相环电路。该电路的压控振荡器（VCO）采用环形结构,由电压-电流转换电路和差分延时环路组成,保证频率范围的同时...
[期刊论文] 作者：罗家传,王怡,何春伟,黄华,白利民,崔晓东,罗家俊,,
来源：农业科技通讯 年份：2014
小麦赤霉病发生除与温度、湿度、降水、日照等气象因子相关外,同时又受到菌源量、耕作制度、品种、复种指数和施肥水平以及浇灌条件影响。利用气象因子可以对小麦赤霉病进行...
[期刊论文] 作者：罗家传,穆鼎,崔晓东,董文辉,杨森,罗家俊,李雪方,,
来源：农业科技通讯 年份：2016
通过在小麦不同时期叶面喷施不同剂量ALA试验,结果表明,抽穗期喷施效果好于拔节期,比对照增产5.0%;不同剂量间表现为50 mg/L增产较明显,达2.7%,其次为10 mg/L,增产2.2%。在拔...
[期刊论文] 作者：王典,李博,赵宇红,李彬鸿,罗家俊,林雪芳,阿拉·布鲁诺,
来源：微电子学 年份：2017
将滑模控制算法应用于Buck转换器的控制中,获得了快的收敛速度和良好的鲁棒性.这种控制策略可在FPGA上实现.为实现滑模控制算法,提出了一种基于拓扑结构的观测器,解决了传统...
[期刊论文] 作者：赵博华,黄苒,马飞,杜寰,罗家俊,韩郑生,林斌,,
来源：半导体技术 年份：2013
基于0.35μm二层多晶硅四层金属(2P4M)3.3 V/5 V双电源电压CMOS混合信号工艺,设计了能应用到投影显示的一种分辨率为800×600硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路芯片。整个驱动电...
Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulat
[期刊论文] 作者：毕津顺,曾传滨,高林春,刘刚,罗家俊,韩郑生,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
In this paper, we investigate the single event transient(SET) occurring in partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI) metal–oxide–semiconductor(MOS) devic...
[期刊论文] 作者：喻巧群,陆江,刘海南,罗家俊,李博,王立新,韩郑生,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
We present a detailed study of a superjunction(SJ) nanoscale partially narrow mesa(PNM) insulated gate bipolar transistor(IGBT) structure. This structure is cre...
[期刊论文] 作者：赵洪利,曾传滨,刘魁勇,刘刚,罗家俊,韩郑生,,
来源：半导体技术 年份：2015
基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关...
[期刊论文] 作者：罗家传,崔晓东,罗家俊,倪闪闪,缑国华,葛红根,徐瑛,
来源：农业科技通讯 年份：2021
小麦新品种泛育麦17是河南省黄泛区实业集团有限公司以泛麦8号-4为母本、以周麦18为父本,于2009年进行有性杂交,采用系谱法,通过抗性鉴定、品质分析、多点试验选育而成。2015-2016年度参加黄淮冬麦区南片水地早播组区域试验,平均亩产537.9 kg,比对照周麦18增产4......
[期刊论文] 作者：汤红菊, 刘兴辉, 蔡小五, 刘海南, 罗家俊, 赵海涛, 彭锐,
来源：微电子学 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：王芳芳,曾传滨,李晓静,高林春,罗家俊,韩郑生,
来源：微电子学与计算机 年份：2018
直流电流电压（DCIV）技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究．本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照，用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变......
[期刊论文] 作者：张小琴,蔡小五,曾传滨,闫薇薇,赵海涛,刘海南,罗家俊,
来源：微电子学与计算机 年份：2020
基于BCD工艺,设计了一种用于智能高边功率开关的新型开态负载开路检测电路.采用双重判决电路,解决了传统检测方法所带来的额外电压降和小电流检测误差太大的问题,提高了负载...
[期刊论文] 作者：赵洪利,高林春,曾传滨,刘魁勇,罗家俊,韩郑生,,
来源：微电子学与计算机 年份：2015
直流电流电压(DCIV)方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度,也可应用于背界面态密度的提取.给出了具体的测试步骤与方法,以0.13μm SOI工艺制造的NMOS器件为测试对象,对...
[期刊论文] 作者：智玉欣,蔡小五,赵海涛,夏瑞瑞,刘海南,罗家俊,叶甜春,
来源：微电子学与计算机 年份：2021
本文介绍了一种采用浮地结构的高边功率驱动电路,包括输入级电路、稳压电路、浮地产生电路以及基于电荷泵驱动电路.针对传统驱动电路中存在的地信号干扰,信号串扰问题、栅击...
[期刊论文] 作者：赵洪利,高林春,曾传滨,刘魁勇,罗家俊,韩郑生,,
来源：微电子学 年份：2015
利用基于复合理论的直流电流电压法,提取SOI器件背栅界面陷阱密度。给出了具体的测试原理,以0.13μm SOI工艺制造的部分耗尽NMOS和PMOS器件为测试对象,分别对两种器件的背界...
[会议论文] 作者：谢朝辉;刘海南;杨婉婉;赵发展;刘刚;罗家俊;韩郑生;,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
大规模数字集成电路单粒子效应地面模拟试验,是电子器件可靠性试验的重要组成部分,是集微电子、核物理、实验方法等为一体的系统工程.随着电子器件复杂度的提高,对地面模拟试...
相关搜索：
