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[会议论文] 作者:鲁建华,薛钦,陈平,赵毅,刘式墉,张丽英, 来源:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份:2008
为了更好的实现有机电致发光器件在显示和照明等方面的应用,降低能耗,我们需要进一步提高器件的发光效率。本文中我们把一种新型铱配合物掺杂到母体CBP中作为黄色发光层,并且在发光层和空穴传输层之间插入一层激子阻挡材料Ir(ppz)3,Ir(ppz)3有效地抑制了发光层......
[会议论文] 作者:谢国华,赵春梅,陈平,侯晶莹,赵毅,刘式墉, 来源:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份:2008
在过去的几十年间,在显示设备领域发生了许多变革,平板显示技术作为新型的显示技术不断向着高分辨率、低重量的方向发展。其中的一个发展方向就是微显示器件,它可以在硅基衬底上集成高密度的电子电路,正在引领便携式、高信息含量显示设备(如头盔式显示设备、3G......
[期刊论文] 作者:程加力,司玉娟,李春星,王丽杰,刘式墉, 来源:发光学报 年份:2004
应用TFT液晶驱动芯片设计了一个TFT有机发光显示屏用的驱动电路。目前有机发光显示屏(OLED)是平板显示领域的研究热点,在研制长寿命、高稳定的器件方面取得了一定的进展,但与...
[期刊论文] 作者:张丹丹,刘磊石,陈路,王海,刘式墉,冯晶, 来源:发光学报 年份:2011
将金属氧化物Fe3O4在空穴传输材料中进行p型掺杂并制作有机电致发光器件,使器件的开启电压由5V降至2.5V;20mA/cm^2电流密度下的功率效率由1.2lm/W提高到2.0lm/W;10V下的亮度...
[期刊论文] 作者:李玉东,王本忠,王如峰,刘式墉,苏士昌, 来源:光子学报 年份:1993
首次对MOCVD-LPE混合外延生长的GaAs/InP材料进行了光致发光测量及分析。结果显示出混合生长的GaAs发光强度明显高于MOCVD一次外延生长的GaAs的发光强度,并确认在16K温度下Ga...
[期刊论文] 作者:唐建国,马於光,刘式墉,沈家骢,田文晶, 来源:半导体学报 年份:1995
本文报道了用有机染料8-羟基喹啉铝(Alq3分散到聚乙烯基咔唑(PVK)中的掺杂聚合物作为有源层制作的蓝绿发光二极管(LED),聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备。ITO/Alq3:PVK/Al器件在正向偏压为6V时可以看到蓝绿发光......
[期刊论文] 作者:张丹丹,刘磊石,陈路,王海,刘式墉,冯晶,, 来源:发光学报 年份:2011
将金属氧化物Fe3O4在空穴传输材料中进行p型掺杂并制作有机电致发光器件,使器件的开启电压由5V降至2.5V;20mA/cm2电流密度下的功率效率由1.2lm/W提高到2.0lm/W;10V下的亮度由...
[期刊论文] 作者:司玉娟,徐艳蕾,郎六琪,陈新发,刘式墉, 来源:半导体学报 年份:2006
在电流编程像素电路的基础上提出了一种新的交流驱动电路结构.该电路结构不仅能实现OLED的交流驱动,而且能避免由于制作过程的变化和长时间的工作引起的驱动管阈值电压漂移的现......
[期刊论文] 作者:王静,姜文龙,魏风才,汪津,候晶莹,刘式墉, 来源:光电子·激光 年份:2005
设计了一种有机电致发光器件(OLED)结构:ITO/NPB(50 nm)/BCP(X)/A1q3(50 mm)/1IF(0.5 mm)/A1(120 nm).在实验中改变BCP的厚度,调整电子和空穴的注入平衡,控制发光层(EML).研...
[期刊论文] 作者:陈佰军,杨树人,刘宝林,王本忠,刘式墉, 来源:吉林大学自然科学学报 年份:1993
本文报导以国产三甲基铟(TMIn)和进口的磷烷(PH3)为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法,在InP衬底上生长高质量InP的工艺条件以及外延层的电学特性和...
[期刊论文] 作者:安海岩,杨树人,秦福文,王本忠,刘式墉, 来源:吉林大学自然科学学报 年份:1994
本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三申基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,AsH_3和PH_3为Ⅴ族源,在(100)方向掺S的n ̄+InP衬底上生长短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的生长条件,并用双晶X射线衍射(DCD)和光荧光(PL)对不同条件下生长的......
[期刊论文] 作者:刘子洋,刘东洋,张世明,王学会,赵毅,刘式墉,, 来源:发光学报 年份:2014
研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响,结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料.通过对二苯基邻菲罗啉缓冲...
[期刊论文] 作者:陈维友,张冶金,曹晓光,汪爱军,刘式墉, 来源:计算机辅助设计与图形学学报 年份:
介绍了一个光波导器件计算机辅助分析系统,该系统集成了3个实用工具:光波导有效折射率计算工具,光波导模式求解工具和三维复折射率全矢量有限差分束传播法模拟工具.本系统用于线性波导器件,模拟光在波导中的传播过程,从而可以优化设计波导器件,探索新结构器件.......
[期刊论文] 作者:程刚,何凤,赵毅,马於光,刘式墉,CHENGGang,HEF, 来源:黑龙江科技学院学报 年份:2006
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[会议论文] 作者:吴志军,陈淑芬,赵毅,侯晶莹,刘式墉,杨惠山, 来源:第五届全国光子学大会 年份:2004
通过热蒸发制备顶发射的有机发光器件,对银阳极采用修饰,制备了基于硅衬底的高亮度顶发射有机发光器件,通过紫外一臭氧处理,使得Ag电极到有机物的空穴注入效率大大提高。使Ag做阳......
[会议论文] 作者:马春生,张海明,张大明,张玉贤,刘式墉, 来源:第五届全国光子学大会 年份:2004
本文给出了阵列波导光栅波分复用器带宽平坦化的一种优化设计方法,通过把偶数阵列波导的芯宽度加上一个增量,同时把奇数阵列波导的芯宽度减去同一个增量,即可获得阵列波导光栅的......
[期刊论文] 作者:刘宝林,杨树人,陈佰军,王本忠,刘式墉, 来源:发光学报 年份:1993
众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子...
[期刊论文] 作者:刘宝林,杨树人,陈佰军,王本忠,刘式墉, 来源:光子学报 年份:1994
本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev。In this paper, the In1-x......
[期刊论文] 作者:司玉娟,徐艳蕾,郎六琪,陈新发,刘式墉,, 来源:半导体学报 年份:2006
在电流编程像素电路的基础上提出了一种新的交流驱动电路结构.该电路结构不仅能实现OLED的交流驱动,而且能避免由于制作过程的变化和长时间的工作引起的驱动管阈值电压漂移的...
[期刊论文] 作者:唐建国,马於光,刘式墉,沈家骢,田文晶, 来源:光学学报 年份:1995
报道了用有机染料TPB(1,l,4,4-四苯基丁二烯)分散到PVK(聚乙烯基咔唑)中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备,用透明导电材料ITO(铟锡氧化物)、......
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