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[期刊论文] 作者：于伟华,
来源：黑龙江科技信息 年份：2012
结合关于漏电保护器的使用经验，谈一下漏电保护器应用的问题。...
[期刊论文] 作者：安大伟, 于伟华, 吕昕,,
来源：电子学报 年份：2012
本文在商用变容二极管的简化电路模型基础上,对非线性肖特基结和周围的无源结构进行了基于石英介质的TRL去嵌入建模分析,在考虑二极管无源区和封装环境各种寄生参量情况下,建...
[期刊论文] 作者：杨映霞,孟多佳,孙玉滨,于伟华,奚东玲,,
来源：中国实用医药 年份：2012
目的筛选并优化莱菔子中芥子碱硫氰酸盐提取工艺。方法采用正交试验设计,以芥子碱硫氰酸盐含量作为考察指标,对加水量,溶剂pH值,干燥温度为因素优选莱菔子中芥子碱硫氰酸盐水...
[期刊论文] 作者：陈其国,钟真武,高建,于伟华,陈文龙,江宏富,
来源：氯碱工业 年份：2012
探讨改良西门子法多晶硅工艺中副产物的综合利用、优化沉积工艺、优化与开发新型高效节能大型还原炉和新型高反射涂层等技术对多晶硅生产中节能降耗的影响,指出将目前已普遍...
[会议论文] 作者：王静辉,吕昕,牟进超,孟丽华,郭大路,于伟华,陈玲,
来源：第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 年份：2012
本文以太赫兹系统应用为背景，介绍了太赫兹肖特基一极管的设计与研制。首先介绍了太赫兹肖特基二极管的设计与优化；然后介绍了截止频率为3.2 THz肖特基二极管的制造与测试；......
[会议论文] 作者：Zhiming Wang,Xiaobin Luo,Weihua Yu,Xin Lv,王志明,罗晓斌,于伟华,吕昕,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
InP基高电子迁移率晶体管(HEMT),以其优良的特性成为微波／毫米波高频段低噪声有源器件的主要选择之一,本文根据异质结构参数设计优化方法对InP基HEMT器件进行模拟并优化,...
[会议论文] 作者：Zhiming Wang,王志明,Xiaobin Luo,罗晓斌,Weihua Yu,于伟华,Xin Lv,吕昕,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
InP基高电子迁移率晶体管(HEMT),以其优良的特性成为微波／毫米波高频段低噪声有源器件的主要选择之一,本文根据异质结构参数设计优化方法对InP基HEMT器件进行模拟并优化,并结合国内现有化合物半导体材料生长和器件工艺水平,得到了一组优化的InP基HEMT异质结构设......
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