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[期刊论文] 作者：邱伟彬,何国敏,董杰,王圩,
来源：半导体学报 年份：2004
优化设计了1.55μm InGaAsP/InGaAsP张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构.利用k*p方法计算了多量子阱的价带结构,计算中考虑了6×6有效质量哈密顿量.从阱宽、应变、...
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