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[学位论文] 作者：侯东林,
来源：陕西理工大学 年份：2023
ZnO作为第三代宽禁带半导体材料,室温下具有良好的热稳定性、低的热膨胀系数和高的饱和迁移速度,在光催化领域具有广泛的应用前景。本文采用离子溅射辅助低温水热法,以柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯上覆盖氧化铟锡（PET-ITO）或石墨烯（PET-GR）为生长基底,以Zn（NO3）2·6H......
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