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[期刊论文] 作者:杨惠山,陈淑芬,赵毅,侯晶莹,刘式墉,, 来源:光子学报 年份:2006
利用阱结构作为发光层,阱由8-羟基喹啉铝和4,4′-N,N′-dicarbazole-biphenyl变替蒸发长成,改善了器件的效率,这归因于增加空穴和电子在薄发光层的堆积,形成的激子有效地被限制在薄......
[期刊论文] 作者:杨惠山,陈淑芬,赵毅,侯晶莹,刘式墉, 来源:光子学报 年份:2006
利用阱结构作为发光层,阱由8-羟基喹啉铝和4,4′-N,N′-dicarbazole-biphenyl交替蒸发长成,改善了器件的效率,这归因于增加空穴和电子在薄发光层的堆积,形成的激子有效地被限制在薄的发光层中发光.器件的最大电流效率在外加电压8V时达到4.1cd/A,与一般异质结器件相比效率提高......
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