搜索筛选:
搜索耗时0.6202秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 107 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:冀萍, 来源:山西化工 年份:1997
家用电脑是“微机”或“PC机”进入家庭的别称。随着家教软件的兴起、多媒体应用的成熟和信息网络资源的共享,家用电脑吸引了众多家庭购买者。 多媒体计算机技术是计算...
[学位论文] 作者:冀萍, 来源:南京林业大学 年份:2002
随着中性造纸技术的快速推广应用、加填量的提高,采用常规的氧化淀粉对纸进行表面施胶,纸的表面强度已不能满足印刷技术发展和印刷方法改进所提出的要求.合成表面施胶剂由于...
[期刊论文] 作者:高冀萍, 来源:农村新技术 年份:2000
[期刊论文] 作者:党冀萍, 来源:半导体情报 年份:1994
金刚石和碳化硅的热特性及电特性决定了它们在电子器件半导体材料中具有最高的材料优质系数,特别适用于在高温环境中应用。本文重点或介绍了金刚石、SiC的材料特性、薄膜生长技术......
[期刊论文] 作者:冀萍,周莉, 来源:中国针灸 年份:1996
本文对130例患者进行临床对比观察,分针灸组64例,中药组36例,西药宫腔注射组30例,计灸取穴中级,子宫,三阴交,归来。结果表明:各组间治愈比较,针灸组优于中药组与西药宫腔注药组差异显著(P〈0.01),治疗后......
[期刊论文] 作者:党冀萍, 来源:半导体情报 年份:1995
SiC半导体技术在近几年得到了迅速发展,与其它半导体材料相比,SiC独特的热特性和电特性,在功率和频率性能方面具有最高的品质因数,SiC还适应于高温和辐射环境,从结构上看,SiC具有多种不同质异型......
[会议论文] 作者:郭冀萍,, 来源: 年份:1997
自1994年2月至1996年2月对我院中医科门诊先兆流产病人42例采用自拟"保胎汤"治疗,收到较好的临床效果,现介绍如下:一、一般资料41例均为门诊病人,年龄最小者22岁,最大者3...
[期刊论文] 作者:叶冀萍, 来源:国外舰船工程 年份:1999
摇控潜器是所有拥有反水雷力量海军的一种主要装备,与可对各种类型水雷进行探测和分类和高效舰壳声呐或可变深声呐配合,主要用于水雷识别。装上水雷烯装置后,可承担现代猎雷中的......
[期刊论文] 作者:叶冀萍, 来源:国外舰船工程 年份:2001
[期刊论文] 作者:叶冀萍, 来源:国外舰船工程 年份:1998
[期刊论文] 作者:叶冀萍, 来源:国外舰船工程 年份:1999
[期刊论文] 作者:叶冀萍, 来源:国外舰船工程 年份:2001
水下战武器发射装置可以发射鱼雷、导弹、干扰器,并可锁定和储存设备,而不是单一的发射鱼雷。这类发射装置因为其效率、威力及费效比,在现代和未来战争中的地位日趋明显。...
[期刊论文] 作者:党冀萍, 来源:半导体情报 年份:1999
SiC是近几年迅速发展的一种半导体材料,在微波功率器件、功率电子开关器件、高温工作器件等方面比Si和GaAs具更大的优势。本文介绍了SiC材料特性、材料制备及目前器件研制水平。......
[期刊论文] 作者:党冀萍, 来源:半导体情报 年份:1996
尽管GaAsMESFET研制工艺已经成熟,但随着电子系统性能不断提高,对器件的要求也越来越高。本文介绍了用于改善GaAsMESFET特性的几种新途径。...
[期刊论文] 作者:党冀萍, 来源:半导体技术 年份:1994
本文介绍了欧姆接触的原理及测试方法,着重概述了近几年来在n型GaAs上制备欧姆接触所做的研究工作,介绍了改善欧姆接触特性的途径和方法。...
[期刊论文] 作者:党冀萍, 来源:半导体技术 年份:1994
简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状,分析了在微波功率方面与国外的差距,并指出了造成目前差距的原因所在,对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。...
[期刊论文] 作者:党冀萍, 来源:半导体技术 年份:1995
半导体柔性制造工厂电子工业部第十三研究所(石家庄050051)党冀萍1半导体柔性制造随着微电子技术、计算机技术等高科技的飞速发展和军事武器装备更新换代周期的缩短,半导体产品制造面临......
[学位论文] 作者:文冀萍, 来源:北方交通大学 北京交通大学 年份:1994
[学位论文] 作者:许冀萍, 来源:复旦大学 年份:1998
该文从西方商业银行的经营之道入手,分析得出国有商业银行增强竞争能力,保持活 力的必然趋势是商业银行国际化.文章通过剖析西方商业银行的有效产权制度、利润最大化的内在目...
[期刊论文] 作者:党冀萍, 来源:半导体情报 年份:1996
介绍了在宽禁带半导体6H-SiC材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及MOSFET。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为6H-SiC禁带宽度为3eV,用MOS电容很难测量表面态,故利用栅控二极管在室温条......
相关搜索: