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[期刊论文] 作者：李玉茹,黄清芳,李晓岚,邵会民,史艳磊,孙聂枫,,
来源：半导体技术 年份：2013
利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3~4英寸(1英寸=2.54 c...
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