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[会议论文] 作者：李述体,周天明,范广涵,章勇,郑树文,苏军,曹健兴,周昕妹,
来源：第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份：2009
采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片进行了研究.通过优化生长条件,在GaN上生长出了单晶GaP薄膜,其(111)面X射线衍射半高宽为408弧...
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