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[期刊论文] 作者：陈中子,陈晓娟,姚小江,袁婷婷,刘新宇,李滨,,
来源：半导体学报 年份：2009
A 4–9 GHz wideband high power amplifier is designed and fabricated,which has demonstrated saturated output power of 10 W covering 6–8 GHz band,and above 6 W o...
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