搜索筛选:
搜索耗时0.7639秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 5 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：孙佳胤,,
来源：中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 年份：2007
GaN材料是目前所有Ⅲ—Ⅴ族氮化物中研究最多的材料之一。该材料属宽禁带半导体，直接带隙3.4eV，在长寿命、低能耗、短波长半导体发光二极管、激光二极管、紫外探测器以及高温微......
[会议论文] 作者：王曦;孙佳胤;武爱民;陈静;,
来源：第六届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2007
采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底,能有效减少...
[会议论文] 作者：王曦,孙佳胤,武爱民,陈静,王曦,
来源：第六届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2007
采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但是单从热失配的角度,由于引入了热膨胀系数(CET)更小的埋层SiO2,......
[期刊论文] 作者：王曦,孙佳胤,武爱民,陈静,王曦1,
来源：功能材料 年份：2007
采用有限元方法，通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底，能有效减少异...
[期刊论文] 作者：孙佳胤,陈静,王曦,王建峰,刘卫,朱建军,杨辉,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为G...
相关搜索：
