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[期刊论文] 作者:杨志峰,陈静,孙佳胤,武爱民,王曦,, 来源:功能材料与器件学报 年份:2008
通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程......
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