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[期刊论文] 作者：杨瑞霞,韩应宽,孙聂枫,王书杰,王阳,李晓岚,孙同年,,
来源：半导体技术 年份：2016
InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响。若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状态,则晶体中深能级缺陷将大幅增加,磷富余量...
[期刊论文] 作者：韩应宽,杨瑞霞,孙聂枫,王书杰,王阳,李晓岚,孙同年,,
来源：半导体技术 年份：2016
通过磷注入法合成并利用液封直拉法(LEC)生长了富铟InP单晶,将晶锭进行定向切割、研磨和抛光,得到InP抛光片。用金相显微镜、扫描电镜、快速扫描光荧光谱(PL-Mapping)技术、...
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