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[期刊论文] 作者：姜剑,孙聂枫,孙同年,王书杰,邵会民,刘惠生,
来源：半导体技术 年份：2021
为改善InP籽晶表面洁净度,保证InP材料生长时的电学参数并减小引晶阶段孪晶形成概率,设计了InP籽晶表面处理装置。该装置采用动态方式对籽晶表面进行处理,采用原子力显微镜扫描处理后籽晶的表面形貌,结果显示籽晶表面无杂质和沾污。通过在晶体引晶部位的不同位......
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