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[期刊论文] 作者：李述体,范广涵,周天明,孙慧卿,郑树文,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2007
采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌.研究表明,GaN低温缓冲层生长...
[会议论文] 作者：李述体,范广涵,周天明,何苗,章勇,孙慧卿,郭志友,郑树文,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
采用MOCVD生长技术以AlO为衬底对GaN基材料及蓝光LED外延片生长进行了研究。用霍尔测量技术、光致发光技术、X射线衍射及原子力显微镜测量了GaN基材料的电学性能、光学性能、...
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