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[期刊论文] 作者：张新霞,孙甲明,张俊杰,杨阳,刘海旭,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1．5-3nm的Si／SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性。以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点，获得了Si／S...
[期刊论文] 作者：孙甲明, 张俊杰, 杨阳, 张新霞, 刘海旭,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
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[期刊论文] 作者：张俊杰,孙甲明,杨阳,张新霞,刘海旭,W.Skorupa,M,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜，在此基础上制备出ITO／SiON／Si-rich SiO2：Er／Si MOS结构电致发光器件，比较研究了硅...
[期刊论文] 作者：孙甲明,张俊杰,杨阳,张新霞,刘海旭,W.Skorupa,M,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文介绍了在稀土离子Re（Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd）注入的SiO2金属-氧化物-硅（MOS）结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜，相继获得了发射光谱......
[期刊论文] 作者：杨阳,孙甲明,张俊杰,张新霞,刘海旭,W. Skorupa,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管，系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高，硅pn结二极管的......
[期刊论文] 作者：孙甲明,张俊杰,杨阳,张新霞,刘海旭,W. Skorupa,M. Helm,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发...
[期刊论文] 作者：杨阳,孙甲明,张俊杰,张新霞,刘海旭,W. Skorupa,M. Helm,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管...
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