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[期刊论文] 作者：刘海旭,孙甲明,孟凡杰,侯琼琼,
来源：发光学报 年份：2011
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3＋离子掺杂的电致发光器件...
[会议论文] 作者：刘海旭,闫艳花,侯琼琼,王肖珩,孟凡杰,孙甲明,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
硅基发光器件在半导体光电集成和光通信等领域具有广泛的应用前景。近年来，Er3+掺杂的MOS结构发光器件(MOSLED)因其较高的发光效率而受到广泛关注。Er掺杂的纳米硅氧化物中，受...
[会议论文] 作者：闫艳花,刘海旭,孟凡杰,侯琼琼,王肖珩,孙甲明,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
SnO2是一种直接带隙宽禁带(Eg=3.6～4.0eV)氧化物半导体。它在可见光区透明而在红外区反射并具有优异的导电性和较好的化学稳定性，被广泛的应用于透明导电玻璃、太阳能电池、气...
[会议论文] 作者：侯琼琼,孙甲明,孟凡杰,刘海旭,闫艳花,靳亚粉,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
铝酸锌是一种具有立方尖晶石结构的宽禁带半导体材料,带隙为3.8 eV,稀土和过渡族元素掺杂的铝酸锌作为高效率的荧光粉材料,已经在发光和显示领域得到广泛应用.国内外一些...
[会议论文] 作者：孟凡杰,孙甲明,侯琼琼,闫艳花,靳亚粉,王肖珩,刘海旭,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
ZnO材料具有价格低廉、生物兼容好、发光效率高等优点，因此其电学性质和光学性质的研究受到广泛关注[1]。其中原子层沉积(ALD)方法制备的ZnO薄膜具有生长温度低，大面积厚度...
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