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[学位论文] 作者：孟丽平,
来源：山东大学 年份：2018
本论文分别以有无栅槽、栅长和源漏间距为唯一变量制备AlGaN/GaN HFETs，对比探究PCF散射对凹槽栅耗尽型AlGaN/GaNHFETs器件2DEG电子迁移率(μn)、栅源通道电阻(RSch)、非本征...
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