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[会议论文] 作者：张高洁,班群,王栩生,王景霄,宋登元,
来源：第十届中国太阳能光伏会议 年份：2008
采用u-PCD测试晶体硅材料的少子寿命,研究了在磷扩散的P型多晶硅片上PECVD双面淀积氢化非晶氮化硅薄膜(a-SiNx∶H,简写为SiN),快速热处理工艺(RTP)以及在N2气氛中低温热处理SiN薄膜对多晶硅材料少子寿命的影响。进一步研究了N2气氛中,不同热处理温度以及热处理......
[会议论文] 作者：张高洁[1]班群[1]王栩生[1]王景霄[1]宋登元[2],
来源：第十届中国太阳能光伏会议 年份：2008
采用u-PCD测试晶体硅材料的少子寿命,研究了在磷扩散的P型多晶硅片上PECVD双面淀积氢化非晶氮化硅薄膜(a-SiNx∶H,简写为SiN),快速热处理工艺(RTP)以及在N2气氛中低温热处理S...
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