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[期刊论文] 作者：刘志刚,孙铁囤,苦史伟,罗培青,姜维,徐秀琴,崔容强,
来源：太阳能学报 年份：2007
采用正面无保护的背腐蚀方法分离p-n结，用SEM图观察了背腐蚀后硅片表面形貌的变化，对背腐蚀与刻边分离p-n结样品的光生电动势进行了比较，用能带理论对其差别做了深入的解释。...
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