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[会议论文] 作者：崔江维,余学峰,任迪远,卢健,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关态泄漏电流和阈值电压增加。然而，在应力施加的过程中，一些参数发生了恢复。经过分析，认为正电性的界面态主导了参数的变化，也正是界面......
[期刊论文] 作者：崔江维,余学峰,任迪远,何承发,高博,李明,卢健,,
来源：半导体学报 年份：2011
Radiation experiments have been carried out with a SOI NMOSFET.The behavior of double humps was studied under irradiation.The characterization of the hump was d...
[期刊论文] 作者：赵云,何承发,刘艳,杨进军,卫平强,兰博,崔江维,费武雄,李,
来源：原子能科学技术 年份：2011
使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂和甲醛等在常氧条件下制备出一种新型的PAGAT聚合物凝胶剂量计。实验结果表明：剂量计的磁共振横向弛豫率随吸收剂量的增加而增大,经计算,...
[期刊论文] 作者：李明,余学峰,卢健,高博,崔江维,周东,许发月,席善斌,王飞,
来源：核技术 年份：2011
通过对PDSOI CMOS静态随机存储器（SRAM）在静态偏置条件下器件功耗电流和功能错误数随辐射总剂量、退火时间的变化规律,以及不同温度（25oC和100oC）条件的退火行为进行研究,探讨了S...
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,李茂顺,崔江维,王义元,吾勤之,
来源：原子能科学技术 年份：2011
对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60 Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vo...
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,李茂顺,崔江维,王义元,吾勤之,刘伟鑫,,
来源：原子能科学技术 年份：2011
对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60 Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vo...
[期刊论文] 作者：李茂顺,余学峰,任迪远,郭旗,李豫东,高博,崔江维,兰博,费武雄,陈睿,赵云,,
来源：微电子学 年份：2011
对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功...
[期刊论文] 作者：费武雄,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,陈睿,王志宽,杨永晖,李茂顺,兰博,崔江维,赵云,,
来源：原子能科学技术 年份：2011
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置...
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