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[学位论文] 作者：崔江维,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2012
随着集成电路的发展和制造工艺的进步，半导体器件特征尺寸急剧减小至超深亚微米甚至纳米尺度。尺寸缩小带来了低功耗、高速度等优点，满足了卫星对于高性能及小型、轻便化的迫切......
[会议论文] 作者：郑齐文,余学峰,崔江维,
来源：第十届全国博士生学术年会 年份：2012
本文对超深亚微米SOI NMOSFET的热载流子效应进行了试验研究.实验结果表明:关态应力条件下,浮体超深亚微米SOI器件具有明显的热载流子效应,其特有的寄生双极效应是器件显著热载流子损伤的重要原因;与前栅晶体管一样,背栅晶体管在关态应力下也表现出显著的热载流......
[期刊论文] 作者：崔江维,薛耀国,余学峰,任迪远,卢健,张兴尧,,
来源：半导体学报 年份：2012
Total dose irradiation and the hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs are studied.The results show that the manifestations of damage caused by these two effe...
Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate arr
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,孙静,崔江维,王义元,李明,,
来源：半导体学报 年份：2012
SRAM-based FPGA devices are irradiated by ~(60)Coγrays at various aose rates 10 investigate total dose effects and the evaluation method.The dependences of typ...
[期刊论文] 作者：卢健,余学峰,李明,张乐情,崔江维,郑齐文,胥佳灵,,
来源：核技术 年份：2012
通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响...
[期刊论文] 作者：李明,余学峰,许发月,李茂顺,高博,崔江维,周东,席善斌,王,
来源：原子能科学技术 年份：2012
通过比较1Mbit商用静态随机存储器（SRAM）在6种不同偏置条件下器件参数（静态和动态功耗电流）和功能参数（错误数）随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射损伤的......
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