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[期刊论文] 作者：卢健,余学峰,郑齐文,崔江维,胥佳灵,,
来源：微电子学 年份：2013
通过对ETC公司的商用256kb和1Mb CMOS SRAM器件在不同偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射效应的研究,获得了SRAM器件电气参数和功能出错数随总剂量的响应关...
[期刊论文] 作者：张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫,
来源：物理学报 年份：2013
对一款商用串口I2C型铁电存储器进行了60Coγ辐射和退火实验,研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的DC,AC,功能参数,分...
[期刊论文] 作者：王信,陆妩,郭旗,吴雪,席善斌,邓伟,崔江维,张晋新,,
来源：原子能科学技术 年份：2013
为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性，选取12位LC2MOS工艺的数模转换器作为研究对象，使用60Co7射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究...
[期刊论文] 作者：王信,陆妩,郭旗,吴雪,席善斌,邓伟,崔江维,张晋新,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
A digital-to-analog converter(DAC) in CBCMOS technology was irradiated by 60Co-rays at various dose rates and biases for investigating the ionizing radiation re...
[期刊论文] 作者：张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫东,,
来源：物理学报 年份：2013
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[期刊论文] 作者：张晋新,郭红霞,文林,郭旗,崔江维,范雪,肖尧,席善斌,王信,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
对国产锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷...
[期刊论文] 作者：张晋新,郭红霞,文林,郭旗,崔江维,范雪,肖尧,席善斌,王信,邓,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
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[期刊论文] 作者：张晋新,郭红霞,文林,郭旗,崔江维,范雪,肖尧,席善斌,王信,邓伟,,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电...
[期刊论文] 作者：郑齐文,余学峰,崔江维,郭旗,丛忠超,张兴尧,邓伟,张孝富,吴正新,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
The hot-carrier effect charactenstic in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET is investigated. Obvious hot-carrier degradation is observed under off-s...
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