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[期刊论文] 作者：余德昭,郑齐文,崔江维,周航,余学峰,郭旗,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
In this paper,total dose responses and reliability issues of MOSFETs fabricated by 65 nm CMOS technology were examined. “Radiation-induced narrow channel effec...
[期刊论文] 作者：郑齐文,崔江维,王汉宁,周航,余徳昭,魏莹,苏丹丹,,
来源：物理学报 年份：2016
对0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）及静态随机存储器（SRAM）开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明：在相同累积剂......
[期刊论文] 作者：周航,郑齐文,崔江维,余学峰,郭旗,任迪远,余德昭,苏丹丹,,
来源：物理学报 年份：2016
空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,绝缘体上硅（SOI）技术由此进入空间科学领域,这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战.进行SOI N型...
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