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[期刊论文] 作者：冯皓楠,杨圣,梁晓雯,张丹,蒲晓娟,孙静,魏莹,崔江维,李豫东,余学峰,郭旗,
来源：原子能科学技术 年份：2022
对总剂量辐射环境下不同偏置状态的碳化硅功率场效应管(SiC VDMOS)的动态特性进行了相关研究.在比较3种偏置状态下60 Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件阈值电压和开关特性影响的基础上,进行了室温退火试验.结果表明,随60 Coγ射线辐照剂量的增加,氧化层积累陷阱电......
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