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[会议论文] 作者：张朝阳,张权生,
来源：第六届全国光纤通信学术会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：张权生,吕卉,
来源：半导体学报 年份：1993
在InP H~+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H~+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J...
[期刊论文] 作者：张权生,张振德,
来源：陕西金融 年份：1995
咸阳市杨陵区共有农村信用社(部)5个,信用站81个。1994年各项存款6083.6万元,较上年增长47.4％,各项贷款3675.3万元,较上年增长29％。全年实现各项收入655.3万元,较上年增长...
[期刊论文] 作者：张权生,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1992
一种平面掩埋异质结构（PBH）InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值...
[期刊论文] 作者：张权生,石志文,
来源：半导体学报 年份：1996
一种电流控制型二端及三端ＭＱＷＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果。...
[期刊论文] 作者：张权生,石志文,
来源：高技术通讯 年份：1996
研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍ ＩｎＧａ ＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性，两种激光器均实现了室温连续（直流）工作，吸收区电极的设置使两种器件的Ｐ／Ｉ特性均获......
[期刊论文] 作者：张权生,石志文,
来源：高技术通讯 年份：1998
自行设计并研制成功了两种有源时分光子交换器件：ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＥＭＰＢＨ双稳激光器ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＭＱＷ ＤＣＰＢＨ双稳激光器，对这两种器件的部分性能作了简要报道。......
[会议论文] 作者：张权生,吴荣汉,
来源：全国第七次光纤通信学术会议 年份：1995
该文介绍了自行设计并研制成功的多功能ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双稳／增益开关激光器的实用化特性。...
[会议论文] 作者：张权生,石志文,
来源：全国第8次光纤通信暨第9届集成光学学术会议 年份：1997
该文介绍了自行设计并研制成功的时分光交换用ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱双稳激光器的部分特性。...
[会议论文] 作者：石志文,张权生,
来源：第十二届全国激光学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：张权生,刘德钧,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：张权生,付淑云,
来源：发光与显示 年份：1985
本文介绍了异质结光晶体管的工作原理,概述了GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP两种系列异质结光晶体管的研制现状。This paper introduces the working principle of heterojuncti...
[期刊论文] 作者：张权生,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1986
本文从求解连续方程出发,分析了作者们参与研制的GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中含有双异质结激光器结构的晶体管异质基区的输运特性,讨论了各自的影响.求得了激射有源区中载...
[会议论文] 作者：张权生,吴荣汉,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：张志坚,张权生,等,
来源：半导体学报 年份：1995
本文通过实验对双区共腔半导体增益光开关门的动态和静态光学特性（包括温度特性、偏振特性、光谱特性、偏置特性、开关特性及增益放大特性等）进行了分析研究，特别研究了其做为增......
[会议论文] 作者：张权生,刘峰奇,郭长志,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：张权生,芦秀玲,罗丽萍,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
报道了对ＩｎＰ单晶，ＡＺ１３５０Ｊ光刻胶、ＰＳＧ（磷硅玻璃）以及常规真空蒸发ＣｒＡｕ、ＡｕＧｅＮｉ薄膜等的０〈’＋〉注入实验研究及其在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱时分光子交换器件中的应用。......
[期刊论文] 作者：张权生,吴荣汉,李照银,
来源：中国激光 年份：1986
采用GaAs/GaAlAs多层液相外延技术研制成一种光触发异质结负阻激光器。文中简述了器件的工作原理和某些特性。...
[期刊论文] 作者：刘峰奇,张永照,张权生,王占国,
来源：半导体学报 年份：2000
利用应变补偿的方法研制出激射波长 λ≈ 3.5— 3.7μm的量子级联激光器 .条宽 2 0 μm,腔长 1 .6mm的 Inx Ga1- x As/Iny Al1- y As量子级联激光器已实现室温准连续激射 .在...
[期刊论文] 作者：张权生,石志文,杜云,赵军,颜学进,
来源：高技术通讯 年份：1996
研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续（直流）工作，吸收区电极的设置使两种器件的Ｐ／Ｉ特性均获得......
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