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[期刊论文] 作者：江兴,
来源：华东科技：学术版 年份：2012
防窃电是营销工作的重要工作，它是一个系统工程，包括事前、事中和事后管理三个阶段。在防窃电全过程中，不同阶段有不同的特点．而不少供电企业往往只注重事后管理却忽略了事前和事......
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
X-FAB,这家已经出货超过十亿MEMS器件的晶圆厂,近日又再次发表业界首个为微机电系统(MEMS)三轴惯性传感器(3Dinertialsensor)提供的开放性平台,一个可以直接从代工厂量产的工...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
敏感元件与传感器是电子信息装备制造业中的基础类产品,是重点发展的新型电子元器件中的特种元器件。近年来,在国家大力加强传感器开发和应用的一系列政策引导和支持下,我国...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
国内首颗MEMS传感器芯片由深迪半导体日前在上海推出。该公司创始人兼CEO邹波表示,希望明年融资进行量产,2012年公司登陆国内创业板。与普通芯片相比,该芯片除了计算功能外,...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
在中科院“百人计划”和国家自然科学基金项目支持下,中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室低维材料摩擦学课题组在石墨烯基阴极材料场发射特性研究中取得重...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
日前,碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET~(TM)MOS...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
全新60 W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统,对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求。科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S波段雷达中的高效GaN HEMT晶体...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
就像在中国的其它产业领域一样,这个国家的半导体销售业务正历经较过去几年更缓慢的成长态势。根据IHSiSuppli的报告指出,中国半导体组件经销市场已经步入缓慢成长As in ot...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
TriQuint半导体公司,推出完整、经济高效的Ka波段砷化镓(GaAs)射频芯片组—TGA4541-SM、TGA4539-SM和TGC4408-SM、TGC4407-SM,用以支持小口径终端(VSAT)卫星通信系统的要求。...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
2012年9月6日,技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司,推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓(GaAs)射频驱动放大器——TQP7M9105、TQP7M9106,它们在CDMA、WCDMA和LT...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
随着2012年第一季度即将过去,半导体产业走势也逐渐明朗,在走访了多家半导体厂商后,2012年几大热点应用逐渐浮出水面,它们是智能手机、平板电脑、轨道交通、新能源、混合动力...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品:国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉硅单晶。据介绍,目前这三项新产品已相继从...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管,并通...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOS-FET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3 A～36 A电流,采用多种...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采用3 mm×1.8 mm PoWerPAK ChipFET封装、高度0...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50 V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
TriQuint半导体公司推出两款新包装的GaAs低噪声放大器TQP3M9036和TQP3M9037。这两款表面贴装封装的低噪声放大器提供最低噪声系数于基站和类似用途的任何集成、封装解决方案...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
通信、工业和消费类应用提供模拟接口零组件的领先供应商AvagoTechnologies(Nasdaq:AVGO)今天推出一种高增益、高线性功率放大器,可为700-800 MHz移动基础结构设备提供高数据...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
日本京都大学工学研究系电子工学专业教授木本恒畅等人的研究小组,试制出了耐压高达21.7 kV的SiC制PiN二极管。此前虽有耐压为十数kV的半导体功率元件,但超过20 kV的尚为首次...
[期刊论文] 作者：江兴,,
来源：半导体信息 年份：2012
Intersil公司宣布推出一组具有卓越直流精度及噪声性能的40V低功耗、高ESD防护等级放大器产品——ISL28407、ISL28417和ISL28408,进一步扩大其精密放大器产品系列。这些新型...
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