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[期刊论文] 作者:朱思成,默立冬,, 来源:半导体技术 年份:2013
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7~13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的...
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