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[期刊论文] 作者：彭振雄,易扬波,孙伟锋,
来源：电子工程师 年份：2004
等离子体显示板 (PDP)技术是一种极具前景的主动发光式平板显示技术 ,其驱动技术一直是研究热点之一。文中在介绍PDP驱动系统框架和PDP显示驱动系统中的数字逻辑功能的基础上...
[期刊论文] 作者：孙智林,孙伟锋,易扬波,陆生礼,
来源：半导体学报 年份：2004
分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响，提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度．模拟结果显示，两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场......
[期刊论文] 作者：孙智林,孙伟锋,易扬波,陆生礼,
来源：微电子学 年份：2004
高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求.结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度分析,详细分析了各参数对击穿电压和导通电...
[期刊论文] 作者：孙智林, 孙伟锋, 易扬波, 吴建辉,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
提出了一种新型SOIP-LDMOS器件,其大部分漂移区不覆盖场氧,从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应,并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入,由于注入后没...
[期刊论文] 作者：孙伟锋,易扬波,吴?,王平,吴建辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,...
[期刊论文] 作者：易扬波,孙伟锋,孙智林,陈畅,陆生礼,
来源：应用科学学报 年份：2004
提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应...
[期刊论文] 作者：孙伟锋,易扬波,吴烜,王平,吴建辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
设计出一种能与体硅标准低压CMOS工艺完全兼容的新型凹源HV-NMOS(High voltage NMOS)结构,在TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数,通过MED...
[期刊论文] 作者：陆生礼,孙伟锋,易扬波,谭悦,吴建辉,时龙兴,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
设计出一种能与0.6 μm的标准低压CMOS工艺完全兼容的HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构,并提出了具体的工艺实现方法--单阱非外延工艺,该工艺能降低生产难度和成本.同时采用T...
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