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[期刊论文] 作者：施朝霞,朱大中,,
来源：半导体学报 年份：2007
基于传统离子敏感器件的敏感模型,建立了与CMOS工艺兼容的以钝化层氮化硅作为敏感膜的MFGFET（multi-floating gate FET）多层浮栅晶体管结构阈值电压模型.采用上华0.6μm CMOS标...
[期刊论文] 作者：杨莺,朱大中,,
来源：浙江大学学报(工学版) 年份：2007
分析了新结构Y型双声路声表面波（SAW）质量传感器的频域特性．应用P矩阵理论计算结合实验验证，比较了3种不同结构器件的性能．结果表明，换能器孔径加权设计相比均匀孔径设计，有利于减小......
[期刊论文] 作者：刘同,朱大中,,
来源：传感技术学报 年份：2007
使用二维数值模拟求得了扇形分裂漏磁敏场效应晶体管（MAGFET）的相对灵敏度.通过有限元分析求解约束载流子输运的偏微分方程,描绘出沟道反型层中的静电势分布.磁场中扇形MAGFET...
[期刊论文] 作者：孙颖,吴献,朱大中,,
来源：传感技术学报 年份：2007
采用5 V 0.6μm标准CMOS工艺设计制造了具有RS232串行通信发送接口的传感器接口芯片.该芯片包含电荷泵和发送电路两个功能模块.其中电荷泵对5 V电源进行正/负倍压得到+7.6 V和-6.1 V的正负电平,并作为发送电路的电源,实现CMOS/TTL电平到EIA/TIA RS-232C电平的转......
[期刊论文] 作者：章安良,朱大中,林远龙,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
在128°旋转Y切割X传播方向上的LiNbO3基片上设计并研制了Y型声表面波器件。它将输入IDT激发的声表面波轴对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出。应用P矩阵法分析了其...
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