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[期刊论文] 作者：谭稀, 蒲年年, 徐冬梅, 崔卫兵, 王磊, 朱宇鹏, 柴彦,
来源：电子器件 年份：2015
现在被广泛应用的VDMOS器件存在诸多失效模式,主要表现为直流参数大漏电和热阻过高问题,限制了器件应用。通过对其失效器件进行X-RAY、SEM、EDS分析表征得到相关规律。研究结...
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