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[期刊论文] 作者：王辉亚,魏跃胜,刘念清,戴涛,罗林安,李茂顺,,
来源：武汉商业服务学院学报 年份：2009
针对高职教育烹饪专业人才培养的特点,改革传统的技能教学方法,建立贴近市场需求、适合学生技能成长的教学模式。我们在总结多年技能培养的基础上,将烹饪专业基础课、技能课...
[会议论文] 作者：高博,王义元,李鹏伟,于跃,李茂顺,崔江维,余学峰,任迪远,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不...
[会议论文] 作者：陈睿,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,陆妩,任迪远,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加...
[会议论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,王义元,李鹏伟,于跃,李茂顺,崔江维,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不同源程序所需的模块不同，并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系，详细......
[会议论文] 作者：陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其损伤机理进行了初步的探讨.......
[会议论文] 作者：王改丽,郑玉展,高博,李茂顺,崔江维,余学峰,任迪远,孙静,文林,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性，对其响应差异进行了较深入的机理...
[会议论文] 作者：王改丽,余学峰,任迪远,郑玉展,孙静,文林,高博,李茂顺,崔江维,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性，对其响应差异进行了较深入的机理研究，并由此探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准.......
[会议论文] 作者：崔江维[1]余学峰[2]刘刚[3]李茂顺[1]高博[1]兰博[1]赵云[1]费武雄[1]陈睿[1],
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究.结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于厚度和氧化物质...
[会议论文] 作者：费武雄,赵云,郑玉展,王义元,陈睿,李茂顺,兰博,崔江维,王志宽,杨永晖,陆妩,任迪远,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件(基-射结反向偏置、正向偏置和零偏置)的电离辐射实验.结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异.基-射结反向偏...
[会议论文] 作者：费武雄,赵云,王志宽,杨永晖,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,陈睿,李茂顺,兰博,崔江维,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件(基-射结反向偏置、正向偏置和零偏置)的电离辐射实验.结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异.基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著.而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和......
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